• RE: Webench 设计有奖活动等你来参与！

  

  孺子牛

  使用Webench设计确实很简洁方便，只要根据需求设定好参数，设计结果便会出现，太棒了。基于LM3401设计的驱动LED电源输入min5V，max5.5V；输出3.2V，电流0.35。 TI帐号：mathyangkai@sina.com

  • webench_designLM3401_in5V_out3.2V.pdf

  • 9 年多前
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• RE: [参考译文] AM625：2个 DDR4、共4GByte

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、James： 感谢您的支持。 根据 EVB 电路板的设计 、16位 DDR 也未添加 VTT、这似乎与 sprad06.pdf 中提到的内容相冲突。 应该参考哪些内容？ 谢谢。此致、 樱桃

  • 2 年多前
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• RE: AM625: DDR4 两片 共4GByte模式

  

  la Ni

  感谢回复！ 我们看了EVB板的设计（如附件），16bit的DDR，也没有加VTT，似乎与 sprad06.pdf中提及的冲突哦，请问要以哪个为准呢？ 谢谢！ PROC114E3_SCH.pdf

  • 2 年多前
  • 处理器
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• [参考译文] SK-TDA4VM：有关参考设计的问题很少

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1119089/sk-tda4vm-few-questions-regarding-reference-design 器件型号： SK-TDA4VM 大家好、 以下是客户可能需要您帮助的几个问题： /cfs-file/__key/communityserver…

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  • 3 年多前
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• SK-TDA4VM: 如下问题请支持下，谢谢

  

  user3386177

  已解决

  Part Number: SK-TDA4VM HI ， 附件参考设计PROC112E2(001)_SCH.pdf，，SWB1A 、SWB2A 、SWB3A三路输出合成一路输出VDD_CPU_AVS， （1）page44，要求FB_B1和FB_B2使用类差分走线方式，请问为什么要这么走线，有什么考量呀？ （2）page44，FB_B2直接连接到DGND,为什么要这么连接？ （3）page44， U17芯片 FB_B3连接到VSYS_IO_3V3上，后者是U27的输出电压，我理解是为了对 VSYS_IO_3V3进行电压监控是吧…

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  • 3 年多前
  • 处理器
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• [参考译文] MCF8316A：IIC 通信问题

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1118274/mcf8316a-iic-communication-issue 器件型号： MCF8316A 大家好、 以下是客户提出的问题、可能需要您的帮助： IIC 从未确认过 ACK、为什么？ 您可以帮助检查此案例吗…

  • 已回答

  • 3 年多前
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• [参考译文] SK-TDA4VM：电路问题

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1117953/sk-tda4vm-circuit-issue 器件型号： SK-TDA4VM 大家好、 以下是客户提出的问题、可能需要您的帮助： PROC112E2 (001)_SCH.pdf A.上述电路的用途是什么？ b.…

  • 3 年多前
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• SK-TDA4VM: 请问如下截图上电路作用啥？来自附件原理图的page44；

  

  user3386177

  Part Number: SK-TDA4VM PROC112E2(001)_SCH.pdf 问题如标题， （1）如上电路作用是啥？ （2）VSYS_3V3通过R200电阻跟VIO_IN相连，二者是一直导通的。 （3）MOSFET电路中，通过SYS_MCU_EN的高电平时，Q1A导通，Q1B导通，VSYS_3V3通过R104跟VIO_IN连接上， VSYS_3V3等于 VIO_IN； SYS_MCU_EN的低电平时， Q1A断开，Q1B断开，VSYS_3V3跟VIO_IN之间断开；即MOSFET电路是实现VSYS_3V3跟VIO_IN导通与否的…

  • 3 年多前
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  • 处理器论坛

• 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

  

  user4986719

  • TI器件.pdf

  • 8 年多前
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