请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好米兰达,
感谢您对 TI FET 的关注。 我们已经审查了这些信息,从根本上说,不应存在性能差异,因为每个设备中的长线和短线债券数量相同。 这些电线粘结主要导致 FET 的接通电阻,任何轻微的差异都将被实际硅的接通电阻所消除。
此致,
约翰·华莱士
TI FET 应用
Other Parts Discussed in Thread: BQ24773 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1042661/csd25402q3a-pmos-can-use-for-reverse-battery-prote…
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