搜索提示
找到 70 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • [参考译文] BQ25703A：使用电源路径为超级电容器充电

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A , CSD25402Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/827064/bq25703a-charging-super-cap-with-power…
    • Answered

  • RE: [参考译文] 电池管理

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jeff： 我刚刚使用 BQ24610RGER 完成了设计。 适配器电流设置为9A、电池充电电流设置为8A。 我在 适配器侧使用 CSD25402Q3A P 沟道 MOSFET、 在电池侧使用 CSD17577Q3A N 沟道 MOSFET。 两种器具的连续电流均大于20A、 但我对热效应有点困惑、因此我计划在适配器侧和电池侧并联使用两个 MOSFET。 这会影响系统性能。 …
    • Answered

  • [参考译文] BQ24171：BQ24171 N-FET 和 P-FET

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: BQ24171 , CSD25402Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/672730/bq24171-bq24171-n-fet-and-p-fet 器件型号： BQ…
    • Answered

  • [参考译文] CSD85302L：TI FET 交叉参考

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A , CSD18511Q5A , CSD17575Q3 , CSD87313DMS , CSD85302L 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/763201…
    • Answered

  • RE: [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM25085：MOSFET 功率损耗计算

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Iven、您好！ 感谢您的回复 如何计算 MOSFET 的功率耗散。 我尝试使用 bq24715数据表中的 eq8手动计算它 、计算出 的 CSD25402Q3A 值与 设计报告中的值不匹配。 我有很少的 MOSFET 作为选项、我需要知道不同 MOSFET 的功率损耗、并从中选择最佳的功率损耗。 请在这方面帮助我 谢谢 此致 Harini Krishna
    • Answered

  • [参考译文] BQ25713：BQ25713 VSYS 异常

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: BQ25713 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/909817/bq25713-bq25713-vsys-abnormal 器件型号： BQ25713 你(们)好 采用…
    • Answered

  • RE: [参考译文] BQ24133：BQ24133

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 马西 很高兴看到您发现问题是焊接问题。 您提到的 FET 具有太多的 Qg、我建议使用 CSD25402Q3A。 此致、 Steven
    • Answered

  • RE: [参考译文] BQ24170：高于10V 适配器电压的问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 安德烈亚斯 确保 CSD25402Q3A 的漏极和源极正确连接(或正确焊接)、其中连接了体二极管、从而阻断系统电压、仅允许从电池到系统的路径。 此致、 Steven

  • [参考译文] BQ24165EVM-720：具有已淘汰的 FET

    Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A , BQ24165 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/637546/bq24165evm-720-has-an-obsolete-fet 器件型号…
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD17308Q3：功率 NFET 的运行方式类似于 SCR、赢得和#39；t 关闭

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Aaron、 再次感谢您关注 TI MOSFET。 另一种选择是将 P 沟道 FET 用作高侧负载开关。 在这种情况下、您将交换漏极和源极引脚、并将栅极拉至接地以导通 FET。 我们在同一封装中交换了 P 沟道 FET CSD25402Q3A 和漏极和源极焊盘。 您可以使用小型 NFET 或 NPN 下拉 PFET 的栅极、并通过电阻器上拉至连接到 VIN 的源极引脚。…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。