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  • [参考译文] CCS/BQ25703A：BATDRV 问题

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A , CSD25402Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/763381/ccs-bq25703a-batdrv-issue 器件型号： BQ25703…
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  • RE: [参考译文] CSD17308Q3：功率 NFET 的运行方式类似于 SCR、赢得和#39；t 关闭

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Aaron、 再次感谢您关注 TI MOSFET。 另一种选择是将 P 沟道 FET 用作高侧负载开关。 在这种情况下、您将交换漏极和源极引脚、并将栅极拉至接地以导通 FET。 我们在同一封装中交换了 P 沟道 FET CSD25402Q3A 和漏极和源极焊盘。 您可以使用小型 NFET 或 NPN 下拉 PFET 的栅极、并通过电阻器上拉至连接到 VIN 的源极引脚。…
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  • [参考译文] CSD25310Q2：AP4453GYT-HF 的备选 MOSFET

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD25404Q3 , CSD25402Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/759382/csd25310q2-alternative-mosfet-for-ap4453gyt…

  • BQ25700A输入电压

    Other Parts Discussed in Thread: BQ25700A 您好，目前有个项目应用到BQ25700A，功能正常。但发现适配器为24V电压时，芯片发烫，温度在51度左右。适配器为12V输入时，芯片不发烫，温度在31度左右。相关信息如下： 1.要求24V适配器，2节电池。 2.PCB 为8层通孔板。 3.附上原理图和PCB示意图。 5621.CP203_MAIN_V11.pdf 4118.CP203_MAIN_V001.pdf
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  • [参考译文] BQ25713：BATDRV 电压范围和 P-MOSFET 最大 VGS

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755015/bq25713-batdrv-voltage-range-and-p-mosfet-maximum…
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  • RE: [参考译文] CSD25402Q3A：如何测量连续漏极电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Russell、 所有 MOSFET 数据表中的连续漏极电流额定值都只是出现在您参考的博客中的计算。 器件未在生产中进行测试、仅在生产器件上执行"高"电流测试是电阻测试、测试器件的电流处于测试条件下。 我们知道、有时硅基方程的电流额定值可能会超过封装能力、因此、在所有更新的数据表中、我们也会给出封装额定值。 这些是直流电流额定值、前提是您可以满足这些条件没有时间限制…
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  • [参考译文] BQ24133：电池未充电、电池 FET 未开启

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ24133 , CSD25402Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/725292/bq24133-battery-not-charging-and-battery…
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  • RE: [参考译文] CSD25402Q3A：独特封装

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您的回复。
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  • RE: [参考译文] CSD25402Q3A：问题电压-封装

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 遗憾的是、如果您没有针对可处理30V 电压或以某种方式减轻 FET 上的电压过冲的 P 沟道重新设计电路板、我将无法找到解决方案。

  • 关于BQ25703A的MOS疑问

    在TI的SLUUBG6这份文档中电路图的Q7 这个MOS管如果G，S，D这三个极击穿短路，那么当5V输入时，电池可以充电（只有快达到8.3V时电感就会发出噪声），当没有电池时，VSYS可以量到6.17V，这个是正常现象。生产过程中怎么检验处这个MOS被击穿？不能拿万用表去量这几个引脚是否短路？ 3582.sluubg6.pdf

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