Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI , CSD25484F4 , CSD25481F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system…
Other Parts Discussed in Thread: CSD25481F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/703384/csd25481f4-breakdown-voltage-gate-source 器件型号: CSD…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您请求的数据已在电气规格表的"二极管特性"部分以及图9中提供、图9分别显示了125deg 和25deg 下、二极管两端的正向压降、分别为1uA 至1A。
在5V 电压下、您将在大约10A 时使二极管饱和、并将向 FET 耗散50W -这会消耗大量功率、并且 FET 可能会在您到达该 FET 之前很久老化。
Other Parts Discussed in Thread: CSD25481F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/568838/csd25481f4-csd25481f4-device-marking 器件型号: CSD2548…