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[参考译文] CSD17484F4:封装尺寸 CSD17484F4和 CSD25484F4
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1159276/csd17484f4-footprint-csd17484f4-und-
csd25484f4
器件型号: CSD17484F4 您好! 您能否澄清以下情况是否属实? 建议选择一个"固体掩模定义焊盘…
已回答
1 年多前
电源管理(参考译文帖)
电源管理(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] BQ25060:未连接电池时的行为
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Li、 对拖延表示歉意。 BQ25060看起来正常工作、但 由于
CSD25484F4
的栅极引脚上没有足够的电压、因此无法完全打开 FET。 TSM2301ACX 在这里似乎没有这种行为。 我必须查看数据表以了解情况、但它很可能与 FET 相关。 此致、 Anthony Pham
1 年多前
电源管理(参考译文帖)
电源管理(参考译文帖)(Read Only)
Answered
[参考译文] CSD2.5484万F4:请勿切换MOSFET -P,敬请注意
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1090691/
csd25484f4
-mosfet-p-not-switching-kindly-advise 部件号: CSD2.5484万F4 主题中讨论的其他部件: CSD1.7382万F4 您好…
已回答
2 年多前
电源管理(参考译文帖)
电源管理(参考译文帖)(Read Only)
RE: CSD25484F4: Id的测试条件是什么?
Johnsin Tao
Hi datasheet仅仅是提供了MOS的相关参数和应用信息,并无测试信息或者方法,而且也没有提供相关的技术文档。 对于这个测试,建议你可以在美国E2E上问一下: https://e2e.ti.com/ 美国那边应该有相关的信息。
2 年多前
电源管理
电源管理论坛
Answered
RE: [参考译文] CSD23382F4:P 沟道 FET 作为反向电池保护
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shlomi、 我们的所有 P 沟道 FemtoFET 都具有 ESD 保护。 CSD23382F4使用背对背二极管、所有其他二极管在栅源极之间都有一个二极管。 具有单二极管的同类器件是
CSD25484F4
。 泄漏电流 IGSS 远低于此值。 但是、对于单个二极管、如果源极被拉至栅极以下、则二极管将正向偏置并传导电流。 在您的应用中、如果电池反极性连接、则二极管将导通…
4 年多前
电源管理(参考译文帖)
电源管理(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] TINA/Spice/CSD25484F4:如何在 TINA-TI 中使用 TI 的加密 SPICE 模型。
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Mark、您好! 此部件的 Web 上的加密模型旨在使用 OrCAD 软件进行仿真。 请申请未加密模型以供 TINA-TI 使用。 对于此器件、您可以通过 TI 支持网站 www.ti.com/.../calltisupport.tsp 申请 向下滚动到页面底部、您可以通过电子邮件提交请求 Herman
5 年多前
仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)
仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)(Read Only)
RE: [参考译文] CSD25484F4:超声波脉冲发生器的 MOSFET 选择
admin
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 很抱歉,这些 FET 的电量确实很低,但您可能需要查看 CSD15380F3、CSD13380F3和 CSD25480F3,它们的电量仍然较低。 供参考、这些都是硅晶圆级封装。 讨论的所有器件都具有相对较大的 Rg (出于 ESD 保护目的)、确实会影响时序、最好的方法是进行仿真。 传统塑料封装类型的另一个选项可能是 nch CSD13202Q2或 PCH CSD25310Q2…
7 年多前
电源管理(参考译文帖)
电源管理(参考译文帖)(Read Only)
官网的资料与提供的文件IC信息不一致,希望核实改进~
user4986719
TI器件.pdf
6 年多前
电源管理
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