请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Russell、
谢谢咨询。 理论上、MOSFET 的串联可以实现更高的有效击穿电压。 但是、由于器件之间的参数差异、通常不建议这样做。 阈值电压的变化意味着一个 FET 始终在另一个 FET 之前导通、在另一个器件之后关断、无法确保不会超过击穿电压。 为了安全起见、我建议选择一个具有足够击穿电压的 P 沟道器件、而不是两个串联器件。
此致、
约翰·华莱士
TI FET…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Peter：
请参阅 https://www.ti.com/lit/gpn/csd25501f3
TI FET 针对直流/直流转换器进行了更多优化、您只需要 FET 作为开关即可。
此致、
Jeff
