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  • [参考译文] CSD25501F3：电源多路复用器解决方案

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD75208W1015 , CSD17483F4 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1243526/csd25501f3-power-mux-solution 器件型号…
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  • RE: [参考译文] PGA460-Q1：MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 PYTsai、您好！ 感谢您在传感论坛上发帖！ 据我所知、TI 不提供与 FDC6506P 等效的器 件、但我们过去曾建议使用 TI CSD75208W1015。 为超声波应用选择 MOSFET 时、需要重点关注的主要事项包括： 1.确保 MOSFET 栅源极电压能够处理 OUTx 引脚上的预期电压。 2.确保 MOSFET 漏源电压能够处理提供给传感器的电压。 3.确认…
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  • RE: [参考译文] TI 建议

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jimmy、 再次感谢您关注 TI FET。 我们有两个-20V 双路 PFET 器件：CSD75208W1015和 CSD75207W15。 这两种都采用通用源配置。 TI 没有其他双 PFET 器件-只有单通道器件的 VDS 高达-20V。 谢谢、 John
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  • [参考译文] 双MOSFET搜索工具

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS1120 , TPS1101 , TPS1100 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1098003/dual-mosfet-search-tool 线程中讨论的其他部件…
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  • RE: [参考译文] CSD75208W1015：能否将双 FET 用作一对来生成电流镜？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Lanhua、 再次感谢您关注 TI FET。 我在产品开发过程中提取了收集的特性数据。 正如我在前一个答复中指出的、这不包括跨导。 测试了来自不同批次的多个样本。 与该数据中的两个器件匹配的最佳指标是阈值电压。 在所有测试样本中、两个 FET 的平均阈值电压分别为0.7951mV 和0.7940mV。 我还比较了几个单独器件上的阈值电压、数据表中指定的0.8V 典型阈值上的匹配值小于0…
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  • RE: [参考译文] CSD87502Q2：有关为 USB Type-C 选择 NMOS/PMOS 的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Zhengquan： 感谢您的查询。 我们有两个双路共源极 PFET 器件：CSD75208W1015和 CSD75207W15。 请注意、我们的 PFET 器件的最大 BVDSS 为-20V。 双 NFET 设备有许多选项，可在以下位置找到 ：。
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  • [参考译文] CSD75208W1015：没有可用的开放 SPICE 模型、仅加密 pSPICE

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD75208W1015 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/859694/csd75208w1015-no-open-spice-model-available-only…
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  • RE: [参考译文] PGA460-Q1：针对直接驱动的 Q 级双 P 沟道 MOSFET 的建议？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、PYTsai、 TI 不提供 任何与 FDC6506P 等效的器 件型号、但-20V TI CSD75208W1015等双路共源 PMOS 确实包含一些温度特性信息。 您还可以在 TI E2E 电源管理论坛 上寻求建议：https://e2e.ti.com/support/power-management/
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  • RE: [参考译文] CSD75208W1015：栅极凸点电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Gilad、 当您将电流限制为8mA 时，您会将功率限制为64mW (8v*8mA)，这低于最大0.35W，因此您应该可以正常工作。 我提到正向偏置二极管的唯一原因不是我希望应用以这种方式工作、而是我们如何获得允许的最大电流。
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  • RE: [参考译文] CSD23285F5：低功耗 MOSFET -纯电子产品问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Nico、 通过查看首页(下图)上的 CSD75208W1015的原理图、您可以看到体二极管阴极连接到源。 如果您没有连接到源极、只需将栅极连接在一起以允许电流从漏极流向漏极、则电流不可能流过体二极管、因为一个体二极管会在两个方向上阻止另一个体二极管。

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