Other Parts Discussed in Thread: CSD83325L , BQ2970 , CSD85302L 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1242045/bq2970-mosfet-recommendation-for…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Dania、
感谢您关注 TI FET。 大多数 BMS 控制器使用 N 沟道器件来实现充电和放电 FET、并包含驱动器电路。 高侧充电/放电 FET 面临的挑战是将栅极驱动至高于电池电压的水平、以确保 FET 完全增强。 大多数 BMS 控制器包含电荷泵电路、用于生成驱动 FET 所需的电压。 对于单节电池、1A 最大电流、我建议使用 CSD83325L、这是一款12V…
Other Parts Discussed in Thread: BQ27742-G1 , CSD87501L , CSD83325L 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1024593/bq27742-g1-recommended-mosfet…
Other Parts Discussed in Thread: CSD83325L , BQ2980 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/931900/bq2970-determining-fet-rdson-choice 器件型号: B…
Other Parts Discussed in Thread: CSD83325L , BQ27742-G1 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/715465/bq28550-r1-alternatives-for-battery-protection…