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  • [参考译文] BQ2970：初始"bootstrap "问题

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ2970 , CSD85301Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1269301/bq2970-problem-with-initial-bootstrap 器件型号…
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  • [参考译文] BQ2970：初始"bootstrap "问题

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ2970 , CSD85301Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1269301/bq2970-problem-with-initial-bootstrap 器件型号…
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  • [参考译文] BQ2970：初始"bootstrap "问题

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ2970 , CSD85301Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1269301/bq2970-problem-with-initial-bootstrap 器件型号…
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  • [参考译文] BQ2970：初始"bootstrap "问题

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ2970 , CSD85301Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1269301/bq2970-problem-with-initial-bootstrap 器件型号…
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  • RE: [参考译文] TPS65094：MOSFET 检查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gareth、 TI 建议的其他一些选项包括 CSD85301Q2、CSD87350Q5D/CSD87352Q5D 和 CSD87331Q3D。 此致、 Garrett
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  • RE: [参考译文] CSD85301Q2：热阻

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，耶稣， 感谢您对 TI FET 的关注。 不幸的是，TI 没有为 CSD85301Q2测试或规范 RθJC。 对于单个 FET CSD17318Q2，2x2mm SON，RJC = 7.9°C/W，1英寸 x 1英寸，2盎司铜垫。 该设备有一个大型散热垫，我估计双 FET 的温度为 RθJC ~ 10-12°C/W，并在同一个1英寸 x 1英寸，2盎司铜垫上为每个排卸提供两个较小的散热垫…
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  • [参考译文] CSD87502Q2：需要 θJC 参数

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD85301Q2 , CSD87502Q2 , CSD17318Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075321/csd87502q2-need-jc-para…
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  • [参考译文] BQ2973：选择 MOSFET

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD85301Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1054588/bq2973-select-mosfet 器件型号： BQ2973 主题中讨论的其他器件： CSD8…
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  • RE: [参考译文] TPS650864：有关 TPS6508640设计的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 [引用 user="na na78"]1. 在此电源图中、 TPS544C25 用于提供0.72V 电压、这与 VCCBRAM 的电压电平不同。 实施 TPS544C25的目的只是为了使用 BUCK2提供不同的电压、不是吗？[/QUERP]是和否 当 Xilinx ZU+器件的速度等级允许0.72V 工作电压时、TPS544C25可用于为 VCCINT 供电、但这不是主要原因…
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  • RE: [参考译文] CSD85301Q2：ESD HBM 额定值

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Andy、 但斯克对我们的 FET 感兴趣 HBM 为1500V、CDM 为1500V

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