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  • RE: [参考译文] TPS53119：有关产品信息和放大器的寄存器最大电流混淆；webench

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 马尼什·科塔尼 TPS53119是一个带有外部 MOSFET 的控制器。 可以支持的电流电平在很大程度上取决于其驱动的 MOSFET。 20A 是关于 TPS5352驱动器要驱动的 MOSFET 尺寸的一般建议。 它不是"最大值"限制规格、而是一般性建议。 我检查了 CSD86350Q5D、栅极电荷完全在 TPS5352驱动器能力的限制范围内。 一个可能的问题是…
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  • RE: [参考译文] CSD16340Q3：请帮助提供 HBM 和 CDM 数据。 用于折页器件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Chaohsiang， 感谢您关注 TI FET。 有关您提供的 FET 列表、请参阅下表和 ESD 通过电压。 CSD25402Q3AT 和 CSD16340Q3T 是与非 T 器件型号相同的 FET、卷带尺寸更小。 产品代码 HBM 导通电压 CDM 导通电压 CSD13202Q2 350V 1500V CSD16340Q3…
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  • RE: [参考译文] CSD86360Q5D：PSpice 模型存在问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Sophie、您好！ 正确、具有 CSD86350Q5D 模型和符号的文件名为 SLPM165A.ZIP (5KB)- PSpice 模型。 为了方便您、我随附了它。 如果您使用的是 PSpice for TI、则符号和模型已包含在库中。 如果您使用的是 PSpice 的商业版本、则需要保存.lib 文件并编辑仿真配置文件(在 PSpice 菜单下)并将其添加到设计中。 如果您有任何其他问题…
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  • RE: [参考译文] TPS53015：FET 选择(半桥与分立式)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Balaji N21 1)是的、TI 的双 FET 封装通常提供更小的尺寸、同时提供良好的热功率耗散。 2) 2)我不会担心 CSD86350Q5D MOSFET 中列出的开通和关断时间的交叉情况、 TPS53015的自适应死区时间控制将确保在允许另一个 FET 导通之前关闭互补 FET、并且在到栅极的 LDRV 引脚路径上没有添加任何外部电阻。 在 19V 输入应用中使用…

  • [参考译文] TPS53015：MOSFET 选择

    Other Parts Discussed in Thread: TPS53015 , CSD86350Q5D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/994790/tps53015-mosfet-selection 器件型号： TPS5301…
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  • RE: [参考译文] CSD86360Q5D：ESD 数据请求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hattori San、您好！ 感谢您向客户推广 TI FET。 CSD86350Q5D 通过750V HBM 和2000V CDM 标准。
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  • RE: [参考译文] CSD87352Q5D：ESD 信息

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Mark、您好！ 感谢您的查询。 您请求的信息如下： CSD87352Q5D 250V HBM、2000V CDM CSD87353Q5D1000V HBM、2000V CDM CSD86350Q5D 500V HBM、2000V CDM CSD86360Q5D 750V HBM、2000V CDM
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  • RE: [参考译文] UCD7242：MOSFET 电气参数

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Thomas、 请参阅 CSD86350q5d 数据表、UCD74120是 一款使用与 CSD86350Q5D 相同 MOSFET 的多芯片器件。 由于采用封装、UCD74120的 Rsdon 略有不同、但栅极电荷等应保持一致。 上述数字适用于 UCD7242。
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  • RE: [参考译文] CSD86350Q5D：关于瞬态热阻与脉宽关系图

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Kanemaru San、 感谢您的提问。 遗憾的是、这不是我们为该器件提供的曲线。 但是、我可以提供一个离散器件型号、该型号具有非常相似的瞬态热阻抗性能、可与此处提到的器件搭配使用。 CSD16407Q5瞬态热阻可用于 CSD86350Q5DC CSD17575Q3瞬态热阻可用于 CSD87330Q3D
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  • [参考译文] TINA/Spice/CSD86356Q5D：CSD86356Q5D 的 SPICE 模型

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    Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI , CSD86356Q5D , CSD86350Q5D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745059/tina-spice-csd86356q5d-spice…

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