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  • RE: [参考译文] CSD87335Q3D：CSD87335Q3D ESD

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Takako-San： 感谢您关注 TI FET。 CSD87335Q3D 通过了400V HBM 和1500V CDM 测试。 此致、 约翰·华莱士 TI FET 应用
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  • [参考译文] TPS51285B：CSD87335Q3D

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD87351Q5D , CSD87335Q3D , TPS51285B , CSD87330Q3D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1307070/tps51285b…
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  • [参考译文] TPS51285B：CSD87335Q3D

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD87351Q5D , CSD87335Q3D , TPS51285B , CSD87330Q3D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1307070/tps51285b…
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  • [参考译文] CSD86360Q5D：设计可行性

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD86360Q5D , TPS53015 , TPS51916 , TPS51215A , CSD87335Q3D , CSD87384M , CSD87588N , CSD87352Q5D 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f…
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  • RE: [参考译文] CSD17577Q5A：MOSFET 上是否有 HBM 值？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alan： 感谢您向客户推广 TI FET。 您请求的信息如下： CSD87335Q3D 通过400V HBM 和1500V CDM 测试 CSD17577Q5A 通过750V HBM 和2000V CDM 标准 CSD17581Q5A 通过1300V HBM 和2000V CDM 标准 您的列表中有两个重复的部分。 您是否还需要其他器件型号的此数据？ …
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  • [参考译文] TPS650830：TPS650830应用确认。

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD87335Q3D , CSD87381P 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/853326/tps650830-tps650830-application-conf…
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  • RE: [参考译文] CSD87335Q3D：CSD87330Q3D、CSD87335Q3D

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sajna、 感谢您的查询。 TI 拥有许多工具： 功率级设计器： 降压转换器 FET 选择工具： 降压转换器 FET 功率损耗计算器电子表格：
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  • RE: [参考译文] CSD87335Q3D：CSD87330Q3D、CSD87335Q3D

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 John： 您的应用程序团队提供的任何更新。
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：建议用于较高 ESD (HBM)额定值的器件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vincent： 感谢您向客户推广 TI FET。 下面是采用 Q3D (3.3 x 3.3mm SON)封装和 HBM 通电压的所有器件的列表。 CSD87333Q3D 和 CSD87334Q3D 包含 ESD 保护二极管、并具有高得多的 HBM 通电压。 但是、这些器件针对高占空比运行进行了优化、并具有对称 FET (相同尺寸的裸片和 RDS (on)额定值)。 此封装中唯一一个靠近的电源块是通过400V…

  • 请问一下CSD87335Q3D的ESD可以达到多少V？

    Other Parts Discussed in Thread: CSD87335Q3D 如题，请问下CSD87335Q3D的ESD等级？

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