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  • RE: [参考译文] CSD88539ND：我们可以将其与 LTC4365IDDB 一同使用吗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Prema、 感谢您关注 TI FET。 CSD88539ND 不是本应用的正确选择。 对于5V 输入和输出、LTC4365栅极驱动电压是3.6V 的典型值。 CSD88539ND 要求栅极驱动电压≥6V。 TI 建议与 SI7940DP 的交叉产品是采用2x2mm SON 封装的2 x CSD17318Q2 30V 单分立式 FET。 则需要使用其中的2个器件。 如果您可以使用更高的导通电阻…
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  • [参考译文] DRV3245Q-Q1：DRV3245Q-Q1与 DRV8353F 对比

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    Other Parts Discussed in Thread: DRV8162 , CSD18543Q3A , CSD18514Q5A , DRV3245Q-Q1 , DRV8353F , CSD88539ND , CSD87502Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum…
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  • RE: [参考译文] CSD88539ND：SPICE 模型 CSD88539NDT

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bob Wagner、 感谢您关注 TI FET。 TI 网站的 CSD88539ND 产品文件夹中提供了一个未加密的 PSpice 模型。 单击"设计和开发"、您将在"设计工具和仿真"选项卡下找到该模型。 您也可以通过以下链接下载它。 https://www.ti.com/lit/zip/slpm110 此致、 约翰·华莱士…
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  • RE: [参考译文] CSD88539ND：适用于升压转换器应用的双路 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Julien： 因为我没有听到您的反馈、我将关闭此主题。 谢谢。 约翰
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  • RE: [参考译文] CSD88539ND：适用于升压转换器应用的双路 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Julien： 因为我没有听到您的反馈、我将关闭此主题。 谢谢。 约翰
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  • RE: [参考译文] CSD88539ND：适用于升压转换器应用的双路 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Julien： 因为我没有听到您的反馈、我将关闭此主题。 谢谢。 约翰

  • MCF8316AEVM: IIC驱动程序请问有无C语言版本的，我希望用ARM系列的芯片比如STM32来与MCF8316A系列芯片建立通信

    TI Thinks Resolved
    Part Number: MCF8316AEVM Other Parts Discussed in Thread: MCF8316A IIC驱动程序请问有无C语言版本的，我希望用ARM系列的芯片比如STM32来与MCF8316A系列芯片建立通信 希望是i/o口模拟IIC信号通信协议那种的。
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  • [参考译文] LM5100A：栅极驱动器 HO 和 LO 输出不显示预期信号

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD88539ND , LM5100A , LM5101A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1191753/lm5100a-gate-driver-ho-and-lo…
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  • DRV8300: U/V/W三相上，低侧MOS管在打开时, Vgs都有较大的回沟，是驱动能力不足吗？

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    Part Number: DRV8300 Other Parts Discussed in Thread: CSD88539ND 如下图，MOS管使用csd88539nd； 原理图参考：DEMO_MD030A(001)_Sch； 电机是13W BLDC电机，这是驱动能力不足吗？需要怎样改善？感谢 上管MOS打开时的VGS波形，平台期很长； 下管MOS打开时的VGS波形，有较大的回沟才能打开；
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  • [参考译文] DRV8300：在 U/V/W 三相上、当低侧 MOS 晶体管导通时、Vgs 具有一个大返回通道。 是因为行驶能力不足？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD88539ND 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1183035/drv8300-on-the-u-v-w-three-phase-when-the-low-side-mos-transistor…
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