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  • RE: [参考译文] LM1084：LDO 反馈电路仅在3.2A 的500ms 电流脉冲期间动态增大5V 至7.5V 之间的输出电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Raza： 具体时序将取决于输出电容(充电和放电)、要步进的负载电流以及输出电压步长。 但一般而言、TPS7A47具有相对较快的瞬态响应、非常适合您。 以下是 TPS7A47 EVM 用户指南中的负载瞬态响应曲线-请注意、当提示 LDO 输入几乎1A 负载时、输出将在20us 内稳定下来。 这与将设定点从低电压更改为高电压类似。 另请注意、LDO 需要在100ms 内从1A…

  • RE: [参考译文] PCM1690：评估

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好， 我知道的唯一 EVM 板 是 DEM-DAI1690 EVM 评估模块(如下所 示)， 用户指南中也讨论了该模块。 此致， 阿拉什

  • RE: [参考译文] DRV8353RS-EVM：无传感器 MSPM0G3507 + DRV8353RS

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dennis： 我们为电机控制调优提供了一些文档。 FOC 文档： https://www.ti.com/lit/ug/slau948/slau948.pdf?FOC=1731980945554 ts 无传感器 FOC 文档： https://www.ti.com/lit/ug/slau927a/slau927a.pdf?ts = 1732027085707 [报价 userid…
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  • RE: [参考译文] BQ24095：短路检测/保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Anthony 非常感谢您的回复。 有些事情对我来说是没有意义的。 例如、如果我隔离系统并在输出端放置一个电阻负载、我会得到以下结果： 1) 220R -一切正常。 这是因为4.35V 时220R 为19.7mA。 2) 2) 180R -锁存器。 这是因为4.35V 时180R 为24mA、因此未通过15mA 测试。 但是、电压仅达到您提到的0.8V、即4.4mA…
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  • RE: [参考译文] LM5164：LM5164DDAR 原理图审阅

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kevin： 建议在铁氧体磁珠 L3 之前添加滤波电容、如器件 EVM 中的建议 2.可在输入端添加~100pF 的去耦电容器【以及电流原理图中存在的电容器】 3. RA [R2]需要降低到~550K Ω 以在 FB 处具有足够的纹波幅度、尤其是在最小输出电压时。 3、请注意:2*22uF、额定电压为 25V 的输出电容器由于降额/直流偏置效应可能无法在 12V…
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  • RE: [参考译文] SN6505B-Q1：设计方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jade： SN6505B-Q1 支持 Vin = 5V 和 Vout = 3.3V。 我已经在表格中列出了它们。 您也可以在数据表中找到相同的详细信息。 针对器件进行优化的推荐的隔离变压器 匝数比 V x T (Vus) Application“ 订单号 这种规格 优势 1.23：1±2% 11. 5V…
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  • RE: [参考译文] DRV8711：DRV8711驱动器的 MOSFET 参数(VDS、Rdson、Qg 等)选择要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Shinya、 我知道这款 EVM 板并且知道使用 CSD18531Q5A 和 CDS18512Q5B 。但我的客户想知道如何选择 外部 MOSFET？ 例如、如果电机电压为48V、电流为1A、则 应选择 MOSFET 的哪些参数？ VDS 需要60V 还是80V？ 还是更高？ Rdson /ID 需要多少钱？ 对 Qg 和 Ciss、Coss、Crss 等参数是否有任何要求？
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  • RE: [参考译文] BQ25750：充电器不根据当前寄存器设置切换

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Manognya。 感谢您提供新信息。 我还有几个问题： 您可以尝试将充电电流设置为 1A 或 2A 吗？ 您使用的是定制 PCB 还是 EVM？ 如果您使用的是定制 PCB、您能给我发送原理图吗？ IC 上的状态和标志寄存器报告什么？ 您是否可以使用恒流或恒压负载？ 您能尝试使用该负载吗？ 此致、 Ethan Galloway
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  • RE: [参考译文] LM5143-Q1：自举二极管额定值

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Evan 您对 RMS 电流额定值部分正确、应为 Qg（两个 FET）x FSW。 当 Cbst 放电时、启动期间的峰值电流会很大。 即使 VCC 具有不适用于 Cvcc 的电流限制、它也可以提供更大的电流。 但请注意、Vcc 不会立即升高、而是逐渐上升、以限制电流。 我建议在保持 1 Ω rbst 与 Cbst 串联的同时测量充电电流、并根据您的 BST 电阻值进行调整…
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  • [参考译文] BQ25622E：降压电感器选择-公式提供的值比典型电路/EVM 大得多、我该使用哪一个？

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25622E , BQ25622 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1382892/bq25622e-buck-inductor-choice---equations…

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