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  • [参考译文] PROCESSOR-SDK-AM335X：无法通过 TFTP 从 VM 加载 uImage。

    Other Parts Discussed in Thread: TPS65217 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1213590/processor-sdk-am335x-failure-to-load-uimage-via-tftp-from-vm 器件型号： PROCESSOR…
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  • RE: [参考译文] DRV8353RS-EVM：ISO-F28027F 开发套件上的默认固件版本？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Cole， 感谢您的及时反馈。 "一般而言、处理器或 ISO-F28027F 不附带默认 FW、这意味着需要加载 FW。 通常、运行 Code Composer Studio 或任何特定的 Instaspin GUI 会使用户在设置步骤中加载 FW。 大多数文档都面向 FOC 无传感器(带有 C2k 的 instaspin)。" 我同意需要将 FW…
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  • RE: [参考译文] TPS274160：外部 TVS 选择和 GND 网络要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ --GND 网络--- 关于接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且 可使用另一个肖特基二极管 主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗 对于并联电阻…
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  • RE: [参考译文] TPS274160：外部 TVS 选择和 GND 网络要求

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ --GND 网络--- 关于接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且 可使用另一个肖特基二极管 主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗 对于并联电阻…
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  • RE: [参考译文] TPS274160：外部 TVS 选择和 GND 网络要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ --GND 网络--- 关于接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且 可使用另一个肖特基二极管 主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗 对于并联电阻…
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  • RE: [参考译文] TPS274160：外部 TVS 选择和 GND 网络要求

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ --GND 网络--- 关于接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且 可使用另一个肖特基二极管 主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗 对于并联电阻…
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  • [参考译文] BOOSTXL-DRV8301：基于集成 FET 的 BLDC 驱动器；大规模生产

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8301 , DRV10970 , DRV8316 , DRV8316REVM , MCT8316Z 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1029769/boostxl-drv8301-integrated…
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  • RE: [参考译文] ADS112C04：SDA 信号保持低电平。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好， 我收到了 ISO EVM 并将其连接到 ADS122C04EVM。 这是 ADS112C04的24位版本。 到目前为止、经过数小时的测试、我没有发现任何问题。 因此、我无法重复您看到的问题。 我将继续进行测试、但到目前为止、我没有遇到 SDA 卡在低电平的任何问题。 此致、 Bob B
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  • [参考译文] MSP430F67791A：EVM430-F6779无法连接至 EMDC

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: ISO7421 , MSP-ISO , MSP-FET 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/815164…
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  • RE: [参考译文] TPS272C45EVM：请帮助检查设计并分析高功率耗散的原因

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们预计 IC_GND 从模块接地的偏移电压等于所用二极管的正向压降、对于 BAS21、该电压降将高达1.25V (如下所示)。 请注意、在您的最终设计中、不需要专门使用 BAS21二极管(可以使用另一个二极管)、在某些情况下、我们建议不要使用 BAS21。 为了详细说明接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的…

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