E2E™ 设计支持
搜索
用户
站点
搜索
用户
E2E™ 中文设计支持 >
论坛
放大器
API 解答
音频
时钟和计时
数据转换器
DLP® 产品
接口
隔离
逻辑
微控制器
电机驱动器
处理器
电源管理
射频与微波
传感器
站点支持
开关与多路复用器
工具
无线连接
参考译文
存档组
存档论坛
技术文章
模拟
汽车
DLP® 技术
嵌入式处理
工业
电源管理
TI 培训
快速入门
English
更多
取消
搜索提示
找到 103 个结果
查看 问题
帖子
排序依据
相关性
按时间顺序由远及近
按时间顺序由近及远
Answered
RE: [参考译文] DRV5013-Q1:该材料是否支持回流焊
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Fabio、 是否成功使用具有焊料回流焊曲线的穿孔封装取决于组装厂的能力。 通常、为了实现这一目的、您可能需要为引线使用最小尺寸的孔、以限制回流可能失败的间隙。 然而、一个特别的问题是传感器的最终对齐。 由于传感器的实际位置可能会发生变化并影响系统的精度、因此可能有必要使用垫片或某种支架、以在回流过程中使元件正确对齐。 如果由于需要水平磁场分量而使用此封装选项、我们还提供…
10 个月前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5013:DRV5013是否具有反相输出类型?
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Jimmy:
DRV5013
没有任何输出处于释放状态时输出低电平的反相输出模式选项、但我们有一个 DRV5015型号遵循此输出模式。 您需要检查 DRV5015A3。 谢谢。 斯科特
11 个月前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5013:霍尔传感器位置
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jimmy: 感谢您在传感器论坛发帖、
DRV5013
检测元件与 DRV5023类似。 霍尔元件位于封装中央的 xy 平面中、容差为±100um。 霍尔元件距离封装底部0.7mm、容差为±50um。 至于裸片尺寸、我无法分享这些信息。 此致、 杰西
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5013:DRV5013和 SN74LVC3G17的原理图审阅请求
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Conor、 您已在
DRV5013
的开漏输出上正确使用了上拉电阻器。 输出引脚通常能够吸收大约30 mA 的电流(假设您不存在散热问题)、因此即使您可以使用38V 电源、由于存在上拉电阻器、我们也只预计需要最大3.8 mA。 通过您的滤波器配置、您将无法使用传感器的整个输出带宽(10KHz)。 相反、似乎您预计在大约1.2毫秒时达到95%。 您不希望输入字段的变化速度超过此值…
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5013-Q1:绝对最大额定值
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Shoji-San、 与 TMR 或 GMR 传感器不同、霍尔效应元件不会因输入磁场较大而损坏。
DRV5013
的阈值被设置为使输入字段必须超过 BOP 或 BRP 才能触发状态变化。 当施加外部磁场时、我们可以使用以下公式预测霍尔元件两端的电压: Vh =(I * B)/(n * e * d) 其中: I =施加的电流 b =施加的外部磁场 N =电荷载流密度 …
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5013-Q1:VDD 反极性保护
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我之前的回复是错误的。 我将根据您的回答进行回答、并等待客户的回答。 非常感谢您的详细解释。
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5013-Q1:霍尔元件位置容差
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Shoji、 我被告知、放置位置与我们的 DRV5023类似。 因此、您应该预计感应元件位于 xy 平面中的封装中心、容差为+-100um 并且距离封装底部0.7mm +-50um。 此外、如果您不知道、我们在此处提供了自己的仿真工具:https://webench.ti.com/timss/
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5011:规格检查
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好! 感谢您在传感器论坛发帖。 "承受电压"是指器件的电源电压吗? "范围变得更宽"是指较高的 BOP/BRP 吗? 下面是我们产品系列中所有霍尔效应锁存器的参数搜索链接: https://www.ti.com/sensors/magnetic-sensors/hall-effect-latches-switches/products…
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
[参考译文] DRV5013-Q1:节点大小请求
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1260472/
drv5013
-q1-node-size-request 器件型号:
DRV5013
-Q1 您好! 根据本产品的质量信息,它是 BiCMOS。 客户根据
DRV5013
ADEDBZRQ1工艺规则请求有关节点大小(??nm)的信息。 TI…
已回答
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] DRV5013-Q1:查找 SPICE 模型
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Labib、 我应该用图片澄清一下。 以下是我之前提到的每种情况的含义。 50Ω Ω 是 RDS (ON)最大值
1 年多前
传感器(参考译文帖)
传感器(参考译文帖)(Read Only)
>
未找到您搜索的内容?发布一个新问题吧。
发布新问题