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  • [参考译文] 电机 BEMF 和霍尔效应传感器输出之间的延迟

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    Other Parts Discussed in Thread: DRV5013 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1163146/the-delay-between-motor-bemf-and-hall-effect-sensor-output 主题中讨论的其他器件…
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  • RE: [参考译文] DRV5013-Q1：ASIL-A或安全元素不相关(SEooC)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Kura-san， 感谢您在"位置感应"论坛上发帖！ DRV5013-Q1不是符合ASIL或SEooC 的设备 。 此致， Christen
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  • RE: [参考译文] 建议在汽车级采用新型 SMD 霍尔效应传感器、以实现更高的额定功率。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Adarsh、 感谢您提出您的问题。 我的理解是、您对 PMSM 的转子位置特别感兴趣、您特别关心的功能是电机换向。 对于该函数、我建议使用以下应用手册。 虽然是为 BLDC 编写的、但许多概念也同样适用： https://www.ti.com/lit/an/slvaeg3a/slvaeg3a.pdf 根据您的特定需求，各种霍尔效应锁存器可能非常有用，但前面的应用手册同时强调了…
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  • [参考译文] DRV5013-Q1：DRV5013-Q1详细布局指南

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    Other Parts Discussed in Thread: DRV5013-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1076912/drv5013-q1-drv5013-q1-detailed-layout-guidelines 部件号： DRV5013-Q1 您好， 我是印度伊顿印度创新中心…
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  • RE: [参考译文] DRV5013：DRV5013

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 用户好， 感谢您发表问题。 这似乎是一个重复的线程。 为了简化我们的支持，我将把这条线程标记为“已关闭”，并将继续下面的链接。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1076266/drv5013-sensors-forum
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  • RE: [参考译文] DRV5013：传感器论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 DRV5013是霍尔效应闩锁。 当显示一个从 PCB 底部向上的射野时，此类设备将切换为低电平，当显示一个向下指向 PCB 的射野时，该设备将释放。 许多霍尔效应装置都是漏极开路，因此需要一个上拉电阻器。 释放状态是相当标准的，可视为高电压。 对于您的应用，可以将磁铁定位在传感器附近移动，以使您的关闭状态较高。 定位磁铁是一个问题，以便在每个状态下都能观察到正确的矢量方向…
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  • RE: [参考译文] DRV5013：焊接温度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 有关 TI 封装，请参阅以下应用指南： https://www.ti.com/lit/an/snoa549d/snoa549d.pdf 但这主要与 SMT 型封装有关。 TO-92未明确调用。 TO-92封装中也提供的另一个装置 LM19具有推荐的最大焊接条件。 我建议遵守这一指导原则。 谢谢！ 斯科特
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  • RE: [参考译文] DRV5013：正在搜索用于鼠标的霍尔传感器解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 安 听起来像是您在描述开关功能。 我建议考虑使用 X2SON 封装的 DRV5032DU。 此设备的最大工作阈值为3.9 mt，在3V 条件下工作时，典型平均电流消耗为1.6 uA。 谢谢， 斯科特
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  • RE: [参考译文] DRV5013：标签和芯片标记上的版本差异

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Scott、 感谢您的快速回复和验证、非常感谢。
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  • RE: [参考译文] DRV5013：可以在航空应用中使用斩波稳定霍尔传感器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Ben、 感谢您提出这个问题。 据我所知、这并不是我们运行过的任何测试。 考虑附近的闪电和由此产生的磁场的影响非常有趣。 对于任何霍尔效应传感器、该器件都将对与感应元件正交的磁场分量敏感。 如果雷击产生的磁场能够从永磁体中压倒磁场、则任何传感器都有可能产生杂散输出。 这可以通过使用屏蔽来减少任何外部磁源的影响来加以限制。 DRV5011经测试具有比 DRV5013 (HBM …

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