• DRV8350R: DRV8350H运行过程中损坏问题请教

  

  zhou ding

  TI 认为已经解决

  Part Number: DRV8350R 您好！ 我们使用了一个DRV8350RH驱动芯片，在运行过程中会Nfault报错，芯片发热。 后续排查芯片发现VGLS对GLX引脚阻抗变低或者短路，排查位置如下图所示 请问改位置MOS的DS承受电压（VGLS对GLx耐压值）为多大？ 还有，这个上拉MOS过压和过流，哪一个损坏概率大一些？（目前我们设置的驱动拉电流为300mA,载波频率16KHz，驱动两个MOS并联） 以上两个问题麻烦解答一下，谢谢。 周鼎

  • 4 个月前
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• [参考译文] DRV8350R：关于 VGLS 低侧稳压器欠压锁定

  

  admin

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  • 3 个月前
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• DRV8350R: DRV8350RH 大电流 损坏

  

  ?? ?

  Part Number: DRV8350R Other Parts Discussed in Thread: DRV8350 DRV8350 驱动电机，当phase current 增加到 ~120A 左右时，GDU 烧毁，量SLB 对地阻抗，发现V相下桥或者W相下桥损坏。 GDU 损坏一般的原因是什么？另外这颗驱动是否可以驱动 大电流工作？

  • 10 个月前
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• [参考译文] DRV8350R：未使用的降压稳压器

  

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  • 11 个月前
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• [参考译文] DRV8350R：随机故障信号

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] DRV8350R：电机在没有 PWM 的情况下运行

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] DRV8350R：使 DRV8350RHRGZR 上的降压稳压器保持未连接状态

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] DRV8350R：软件示例，用于通过首选 SPI - C 代码配置 DRV8350RS

  

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  • 3 年多前
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• DRV8350R: GDUV, VGLS电压异常

  

  ? ?

  TI 认为已经解决

  Part Number: DRV8350R 测试中发现Gate driver损坏，VGLS电压3V. 软件配置：驱动电流1A/2A，门极驱动电阻22ohm，MOS：IPB042N03 G（2并，每颗MOS有单独的22ohm）。 猜测是gate driver 内部LDO损坏，请问：1.可能的原因是什么？ 2. 增大22ohm电阻到多少合适？ 3. 调节驱动电流和调节驱动电阻有没有差异，哪种方式更优？

  • 3 年多前
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• [参考译文] DRV8350R：低速时无法控制

  

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  • 3 年多前
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