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我认为这是一种已知的行为。 内部高侧栅极驱动电路在 FET 的栅极上有一个下拉电阻 器、以确保高侧 FET 在睡眠或禁用模式期间关闭。 如果 FET 栅极和 FET 源极(XOUT)之间存在齐纳二极管、下拉电阻器可以更改外部电阻分压器输出电压。 如果我正确地记住、电阻器可能为几十千欧姆(BTW、我们可以根据 VM 电压和 XOUT 电压进行估算)。 因此、如果外部上拉和下拉电阻器为10kohm…