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  • RE: [参考译文] DS100KR800：信号完整性由中继器降低

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Robin、 太好了、很高兴您能根据 Drew 的反馈解决这个问题。 感谢您确认问题已解决。 此致！ 卢卡斯
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  • RE: [参考译文] DS100BR410：DS100BR410中继器、DS100KR800中继器和 DS100KR401中继器之间的差异。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、James： BR410是一种限制器件、它不允许信号训练通过器件。 另一方面、KR 器件是线性器件、允许训练信号通过器件。 KR 器件更像是模拟器件、而 BR 为器件输出端的数字- 1或0。 此致、Nasser
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  • RE: [参考译文] DS100KR800EVK：DS100KR800

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Robin、 请 从 SigCon Architect 产品页面下载 SIGCONARCHITECT-REPEATER-PROFILES。 此文件夹包含 DS100KR800器件配置文件。 https://www.ti.com/tool/SIGCONARCHITECT 此致！ 卢卡斯
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  • RE: [参考译文] DS100KR800：DS100KR800 SMBus 从模式控制寄存器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Adrian： 该器件将在默认寄存器值下运行 、无需修改地址0x06。 如果需要根据应用要求修改 VOD / DEM/EQ 设置、则必须首先将0x06[3]设置为高电平。 谢谢！ 埃文
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  • [参考译文] DS100KR401：观测位

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    Other Parts Discussed in Thread: DS125BR401 , DS100KR401 , DS100KR800 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1231417/ds100kr401-observation-bit 器件型号： DS100KR401 主题中讨论的其他器件…
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  • [参考译文] 正在寻找１０００ＢＡＳＥ－Ｘ 和１０ＧＢＡＳＥ－ＫＲ 的重定时器或转接驱动器

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    Other Parts Discussed in Thread: DS100KR401 , DS100KR800 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1170298/looking-for-a-retimer-or-a-redriver-for-1000base-x-and-10gbase…
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  • RE: [参考译文] DS100MB203：a.引脚模式 v/s SMBus 模式，B.和#39；PCIe Gen1/2、10GE 模式和#39；v/s 和#39；PCIe Gen3、10GKR 模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dilip： 与引脚模式中提供的去加重电平数量相比、SMBus 模式提供了更多去加重选项。 (参考：表7针对 SMBus 模式、表3针对引脚模式)。 是这样吗？ 在引脚模式下、共有16个级别可同时控制去加重和 VOD 设置。 这些可针对器件的 D 侧和 S 侧单独设置。 (请参阅表3) 在 SMBus 模式下、有8个电平用于控制去加重设置、8个电平用于独立控制…

  • RE: [参考译文] DS100KR800：旁路模式？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ FPGA SERDES 和 DS100KR800之间是否存在明显的插入损耗？ 此外、您是否知道数据速率的奈奎斯特频率下电缆的大致插入损耗？ 1) 1) DS100KR800上没有旁路模式。 最接近这一点的是将 EQ 和去加重设置为0。 2) 2)即使 EQ 和去加重设置为0、仍会对信号应用一些残余均衡。 请参阅下表。 3) 3) 了解电缆的插入损耗有助于更好地解决此问题…
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  • RE: [参考译文] DS100KR800：10G 模式和10G-KR 模式之间的差异

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Frank、 在某些具有高插入损耗的应用中、10G 模式可以更好地工作。 此致、Nasser
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  • [参考译文] SN65LVCP114：sn65lvcp114应用

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    Other Parts Discussed in Thread: SN65LVCP114 , DS100KR401 , DS100KR800 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/972844/sn65lvcp114-sn65lvcp114-application 器件型号： SN65…
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