搜索提示
找到 80 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • DS125BR111: DS125BR111设计，用两颗1 lane的芯片，设计PCIE X2的方案。在repeater芯片这边是TX用一颗 还是1 lane用一颗，如下图的两种方案。

    Part Number: DS125BR111 您好： DS125BR111设计，实际需要使用的是PCIE X2，从成本上考虑选用两颗X1的 repeater芯片， 方案一：两lane的TX和RX各用一颗repeater 方案二：每个lane 各用一颗repeater 请问咱推荐使用哪种方案，哪种方案更优？ 如下图

  • SN75LVPE3101: 用两颗1 lane的芯片，设计PCIE X2的方案。在转换芯片处是TX用一颗 还是1 lane用一颗，如下图的两种方案。

    Part Number: SN75LVPE3101 Other Parts Discussed in Thread: DS125BR111 您好： DS125BR111设计，实际需要使用的是PCIE X2，从成本上考虑选用两颗X1的 redriver 芯片， 方案一：两lane的TX和RX各用一颗 redriver 方案二：每个lane 各用一颗redriver 请问咱推荐使用哪种方案，哪种方案更优？ 如下图的示意图
    • Answered

  • RE: [参考译文] SN75LVPE801：0.95V PCIe 重拨器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Henry： 对于此应用、请考虑使用 DS125BR111线性转接驱动器。 另一个选项是 DS80PCI102。 BR111是 PCI102器件的更新版本。 此外、如果可能、还最好进行一些信号完整性分析。 我们可以为您提供这些器件的 IBIS-AMI 模型。 此致、Nasser

  • [FAQ] [参考译文] [常见问题解答] DS125BR111：均衡增强和增益曲线

    Other Parts Discussed in Thread: DS100BR111 , DS125BR111 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1364105/faq-ds125br111-eq-boost-and-gain-curves 器件型号： DS125BR111 主题中讨论的其他器件…
    • Answered

  • RE: [参考译文] DS125BR111：VDD 的去耦电容器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的哲也： 感谢您在数据表中指出这个不一致之处。 我的建议是遵循电源建议部分、为每个 VDD 引脚放置一个0.1uF 电容器。 请注意、使用 DS125BR111的去耦方案有一定的灵活性、因为 EVM 为两个 VDD 引脚实现了一个0.1uF 电容器。 使用具有较大值的去耦电容器可能允许更高频率的噪声到达内部电源。 最后、确认去耦方案性能的最佳方法是通过仿真。 此致！ …
    • Answered

  • [参考译文] DS125BR111：DS125BR111RTWR 可靠性/质量说明

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1317871/ds125br111-ds125br111rtwr-reliability-qual-clarification 器件型号： DS125BR111 您好！ 我正在查看以下项的数据： DS125BR111RTWR。 我看到该器件在低工作…

  • RE: [参考译文] DS125BR111：转接驱动器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bo： 是的、 我希望 DS125BR111可与 SGMII 和1000Base-KX 配合使用。 您能说明一下预期通过60英寸迹线材料产生的插入损耗量吗？ 60英寸的背板布线是否也包含在内？ 对于较低的数据速率、可能存在过均衡问题。 1.5GHz 时中继器的最小 EQ 为2.1dB -请确认接收器端的总插入损耗大于此值。 谢谢！ 埃文
    • Answered

  • RE: [参考译文] SN75LVPE801：IBIS 仿真模型

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、 遗憾的是、我们没有适用于 SN75LVPE801的 IBIS 模型。 或者、我建议使用以下主题进一步深入了解 DS80PCI102或 DS125BR111： https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/799536/sn75lvpe801-sn75lvpe801-sata…
    • Answered

  • RE: [参考译文] DS125BR111：DS125BR111是否可以支持 SGMII 应用？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ann！ 是的、DS125BR111预计可与 SGMII 搭配使用。 请注意、如果输入侧的插入损耗小于器件的最小 EQ (如数据表的表4中所述)、则可能需要考虑过均衡。 谢谢！ 埃文
    • Answered

  • RE: [参考译文] DS125BR111：DS125BR111还是 DS160PR410提供 PCIe 直通模式？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Hal： 这两个器件不提供直通模式。 然而、由于它们是线性转接驱动器、因此当 CTLE 设置为最小升压值时、它们对信号链的影响相对较小。 对于 DS160PR410、请参阅编程指南中的第3.2至3.3节来配置 CTLE (表8 -建议使用 CTLE 索引0或1)： https://www.ti.com/lit/ug/snlu255/snlu255.pdf 对于 DS125BR111…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。