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  • RE: [参考译文] DS25BR100：在输入设备之前测试PE/EQ性能和交流耦合电容器的设置

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 在传输线路中间定位DS25BR110和DS2.512万没有任何问题。 我会将它们分开几英寸，以确保它们之间的信号完整性。 此致， 李

  • RE: [参考译文] DS25BR204：DS25BR204的抖动问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kevin： 感谢您的方框图。 变压器和 DS25BR100输入之间的抖动是否看起来更好？ 此致、 Lee
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  • [参考译文] TLK6201EA：在400Mbps 8b/10b 编码信号下运行

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    Other Parts Discussed in Thread: TLK6201EA , DS25BR100 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/679279/tlk6201ea-operation-with-400-mbps-8b-10b-encoded-signal 器件型号…

  • RE: 6U机箱背板LVDS通信用均衡器选型

    Kailyn Chen： 你好，对DS25BR100这个芯片，综合以上的问答，结合自己最近的设计和调试情况，有以下新的问题： 1.芯片容易损坏。对插接在背板的板卡使用DS25BR100进行LVDS通信过程中经常出现芯片损坏情况，我们的应用中有一种主控制器板卡贴了近30个该芯片，第一版的板卡贴片2张板卡，每张板卡都有1至2个芯片损坏，第二版的板卡中依然也出现该种损坏模型，第一版DS25BR100和设计中的FPGA使用同一个5V转3.3V的LDO供电，第二版为了降功耗DS25BR100和设计中的FPGA使用同一个5V转3…
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  • RE: [参考译文] DS25BR100：，DS25BR110，DS25BR120和DS25BR150：气隙放电保护规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Lee-san， 感谢您的及时回复。 此致， Fumio Nakano
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  • RE: [参考译文] DS25BR100：在DS25BR100之后，帧捕捉器无法识别LVDS信号

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Kevin： EQ=0时可达到最小CTLE。 当PE=0时，有0 dB的预强调。 PE=0波形的外观如何？ 复位器波形上似乎有更多反射。 此致， 李

  • FGPA + LVDS 远距离解决方案

    Other Parts Discussed in Thread: DS90LV804 , DS90LV004 , DS25BR100 咨询一下：若使用Altera cyclone IV 和 cyclone V系列的FPGA，连接 LVDS buffer ，传输速度达到600Mbps，传输距离是否可以达到10m及以上？ 另外，FPGA的管脚电压为2.5V，选择哪款 LVDS Buffer合适呢？ 目前看到一个DS90LV804的芯片，电源电压为3.3V的，不知道是否可以直接与FPGA连接？ 谢谢！

  • DS25BR100速率不能到3Gps原因

    Other Parts Discussed in Thread: DS25BR100 项目中到DS25BR100器件，其功能用于LVDS信号整形，但使用过程中发现信号传输速率只能到1.6Gps(信号是双边沿测试，频率是速率的一般)，输入输出没有外挂端接电阻，使用芯片内部端接电阻，信号源的速率为3Gps。请问这样的用法符合器件使用规范吗？信号的传输速率受哪些地方影响？
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  • RE: [参考译文] DS25BR150：正在寻找支持热插拔的 LVDS 缓冲器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、落基、 DS25BR150 (或 DS25BR100、DS25BR110、DS25BR120)可支持热插拔环境。 我希望在热插拔连接侧添加 ESD 保护器件、以确保连接时出现的任何电荷都有一条接地/VDD 的路径。 USB3.0的 ESD 保护将具有低电容、因此不会影响1.25Gbps 信号。 此致、 Lee
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  • RE: [参考译文] DS25BR100：均衡水平的条件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Hirotaka， DS25BR100 CTLE增益通常为~ 8 dB @ 1.56 GHz。 这相当于3.125 Gbps 数据流的8 dB增益，因为3.125 Gbps数据的Nyquist频率是1.56 GHz。 CTLE可跨范围相对较广的数据基工作-从 大约1 Gbps到最大3.125 Gbps。 在接近 1 Gbps的较低数据速率下，CTLE增益将 小于8 dB。 …

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