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  • RE: [参考译文] BQ24610：插入电池后烧坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Tommy、 测试设置：无交流适配器、无负载、仅使用 BQ24610和6S 电池(实际电压为22V)。 电感器电流未知。 它应该从电池流向电感器的什么位置？ 原理图与 EVM 相同、肖特基二极管- ZLLS350TA、如 EVM 中所示。 低侧 MOSFET 是 FDS8447、与 EVM 中的情况类似。 下面是我的想法： BQ24610 DS 要求绝对最大额定值…
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  • RE: BQ2000: 请教TI的工程师，如图所示，是BQ2000datasheet给出的一个充电器的设计参考图（datasheet中的图7），请问图中红圈部分具体是实现啥功能的。

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    您好, Q3 inverts the MOD output so it can drive a PFET. Q2 is part of Q1 fast turn off circuit. D7 is Zener clamp to protect gate of Q1 (EVM rated for up to 25V input) but will also help with Q1 fast turn off since the gate is not pulled all the way to ground…

  • RE: [参考译文] UCC28782EVM-030：EVM 使用哪种谐振类型？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好藤原山、 我尝试运行一些仿真、以尝试复制该行为。 下面显示的是 Cclamp 为50nF 时的波形、清楚地显示了初级谐振行为。 在本例中、我仅使用了一个680uF 电容 现在增加了相同的电容(即 Clamp = 700nF) 我们可以清楚地看到、钳位的设计会导致次级侧开关/ SR 的非 ZCS。 此处再次显示了初级侧谐振。 现在、为了匹配 EVM 行为、我添加了…
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  • [参考译文] TPS25751：VBUS 保护

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS25751 , TVS2200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1453207/tps25751-vbus-protection 器件型号： TPS25751 主题中讨论的其他器件…
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  • RE: [参考译文] UCC21750-Q1：米勒钳位电阻器选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 杰弗里 客户对 Miller Clamp 的关注到底是什么。 通常，我们建议米勒钳上没有串联电阻器，以提供到栅极的最低阻抗路径。 在实际发生 VCE 过冲时，Miller 夹子甚至不应打开，因此您不需要在那里添加电阻器。 客户需要串联调整 OUTL，TV 二极管和电阻器。 我认为不应该使用米勒钳子的血清中的任何电阻器。 最佳 迪米特里
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  • RE: [参考译文] Beagle 3P-BBONE-AI：BeagleBone AI - Processor SDK Android 06_03_00_106不会编译为午餐、如步骤中所述、AM57xevm_Full 不可用。 具有 AI 的 TI Sitara AM5729多核1.5GHz ARM 处理器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Praneeth 您好！ 非常感谢您的快速回复。 正如您所说的那样、在编译错误之后、我说找不到 am5729_BeagleBone.dtb。 下面是 make 的错误输出。 此外、在底部、我附加了对其文件所做的更改。 我 的更改 和 错误 显示 为红色 ==================================================================…
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  • [参考译文] DAC8775EVM：IEC61000-4测试

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    Other Parts Discussed in Thread: DAC8775 , TIPD216 , DAC8775EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1430589/dac8775evm-iec61000-4-testing 器件型号…
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  • RE: [参考译文] LM25066A：如何降低 LM25062/6上输入电压的同时过冲

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Richard、 您为两个电压轨设置了什么快速跳变阈值？ 适当选择 TVS 并将其靠近控制器应会降低 Vin 过冲。所选 TVS 应确保快速跳变阈值的钳位电压应小于 OV 跳变点电压值。 您可以浏览所附文档、选择合适的 TVS.e2e.ti.com/.../1425.TVS-Clamping-in-Hot_2D00_Swap-Circuits.pdf
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  • RE: [参考译文] DRV8434S：DRV8434S EMI 保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Roman： 感谢您的提问。 一般来说、除非外部高压冲击(例如预期的 ESD 冲击)、否则 DRV8434S 或类似步进驱动器的输出端不需要外部 TVS 二极管。 由于在切换线圈的电感反冲期间发生内部操作、因此 xOUTx 引脚上的电压将推至高于 VM 电源轨或低于 GND 电源轨。 请参阅下面的绝对最大值 绝对最大额定值。 体二极管通常将电压偏移保持在二极管压降范围内…
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  • RE: [参考译文] BQ25798：如果在将电源连接到 VBUS 时拔下电池、芯片损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Avi： 拆下电池(称为电池热拔插)后、BAT 和/或 SYS 电压会因电感和有限的电池充电器反馈环路响应时间而过冲。 您可以在示波器上进行监控。 如果您的电池为3S-4S、则该过冲很容易超过 BAT 和 SYS 引脚的最大20V、从而导致 IC 损坏。 EVM 用户指南建议添加 TVS 二极管以防止损坏。 此致、 杰夫

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