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  • RE: [参考译文] TPS274160：外部 TVS 选择和 GND 网络要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ --GND 网络--- 关于接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且 可使用另一个肖特基二极管 主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗 对于并联电阻…
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  • RE: [参考译文] TPS274160：外部 TVS 选择和 GND 网络要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ --GND 网络--- 关于接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且 可使用另一个肖特基二极管 主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗 对于并联电阻…
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  • RE: [参考译文] TPS274160：外部 TVS 选择和 GND 网络要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ --GND 网络--- 关于接地网络建议： 在背面、二极管需要处理您可以看到的所有反向关断电压。 在 EVM 上选择 BAS21的原因是为了测试该器件的汽车版本的 ISO 标准。 如果需要较少的反向关断处理能力、则可选择另一个二极管、并且 可使用另一个肖特基二极管 主要建议您不要在 IC 接地引脚上看到大于0.6V 的电压、从而确保不会无意中触发接地损耗 对于并联电阻…
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  • RE: [参考译文] ADS1292：ADS1292应用电路审核请求和相关查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Grady、 请在下面找到我的反馈： AVDD 电源的最低要求为2.7V、但好像使用了2.5V。 模拟接地和数字接地是否分开？ 我认为在器件下方使用一个连续的接地平面会很好。 我建议使用1MΩ||1.5nF 反馈网络来限制 RLD 放大器的闭环带宽(请参阅 EVM 用户指南)。 为何不在此应用中使用专用 RLD 电极、而不使用连接至 RLDOUT 引脚的上拉电阻器…
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  • RE: [参考译文] LM25066A：取消 LM25062/66上的 TVS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Richard、 任何电子 IC 如果在超出其设计限值/绝对最大额定值的条件下运行、都将发生故障。 我们建议在热插拔前使用 TVS 的原因是为了保护器 件免受瞬态过压的影响、过压过压可能大于绝对最大额定值。 同样、如果 TVS 在额定条件之外运行、也会失败。 TVS 是出色的过压保护器件、几乎可以即时应对过压并检测下游电路。 很难找到 TVS 的替代产品来保护热插拔。…
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  • RE: [参考译文] XTR111-2EVM：XTR111-2EVM

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢 Luis 的及时回应。 在这种情况下、电阻器 R16和 R17的容差是否会导致 TUE (总体未调整误差)？ 让我作进一步解释。 TIDA-01536设计指南中报告了 XTR111 TUE 的总计算值。 为方便起见、我包含以下公式。 考虑到电阻器 R16和 R17以及 EVM 的输出元件(MOSFET、TVS、15 Ω)、该公式如何更改？ 此外、我们是否还应该考虑该公式中的稳压器误差…
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  • RE: [参考译文] BQ25792：为什么 bq25792已损坏？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 内部 BATFET 的额定电压仅为20V。 如果热插拔4S 电池组、则插入时的电压尖峰可能会损坏 BAT 和 SYS 引脚。 我们建议在靠近 IC 的 BATP 引脚上添加一个电容器和/或一个 TVS 二极管来保护 IC。 最新的数据表应用图和 EVM 用户指南展示了这一点。 此致、 杰夫
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  • RE: [参考译文] BQ25792：为什么 bq25792已损坏？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 内部 BATFET 的额定电压仅为20V。 如果热插拔4S 电池组、则插入时的电压尖峰可能会损坏 BAT 和 SYS 引脚。 我们建议在靠近 IC 的 BATP 引脚上添加一个电容器和/或一个 TVS 二极管来保护 IC。 最新的数据表应用图和 EVM 用户指南展示了这一点。 此致、 杰夫
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  • RE: [参考译文] BQ25792：为什么 bq25792已损坏？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 内部 BATFET 的额定电压仅为20V。 如果热插拔4S 电池组、则插入时的电压尖峰可能会损坏 BAT 和 SYS 引脚。 我们建议在靠近 IC 的 BATP 引脚上添加一个电容器和/或一个 TVS 二极管来保护 IC。 最新的数据表应用图和 EVM 用户指南展示了这一点。 此致、 杰夫
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  • RE: [参考译文] BQ25792：为什么 bq25792已损坏？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 内部 BATFET 的额定电压仅为20V。 如果热插拔4S 电池组、则插入时的电压尖峰可能会损坏 BAT 和 SYS 引脚。 我们建议在靠近 IC 的 BATP 引脚上添加一个电容器和/或一个 TVS 二极管来保护 IC。 最新的数据表应用图和 EVM 用户指南展示了这一点。 此致、 杰夫

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