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  • [参考译文] TUSB1044RNQEVM：能否使用单个 TVS 二极管代替 TPD6S300？

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    Other Parts Discussed in Thread: TUSB1044 , TPD6S300 , TPD1E0B04 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1057638/tusb1044rnqevm-can-i-use-single-tvs-diode-instead…
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  • RE: [参考译文] ADS1292：ADS1292应用电路审核请求和相关查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Grady、 请在下面找到我的反馈： AVDD 电源的最低要求为2.7V、但好像使用了2.5V。 模拟接地和数字接地是否分开？ 我认为在器件下方使用一个连续的接地平面会很好。 我建议使用1MΩ||1.5nF 反馈网络来限制 RLD 放大器的闭环带宽(请参阅 EVM 用户指南)。 为何不在此应用中使用专用 RLD 电极、而不使用连接至 RLDOUT 引脚的上拉电阻器…
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  • RE: [参考译文] AM5718：启动定制板。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Keerty、 我们已经尝试了命令 setenv bootargs console=ttyO2、115200n8 root=/dev/mmcblk0p2 rootwait earlyprintk 调试日志级别=8 no_console_suspend setenv bootcmd 'mc dev 0；ext4load MMC 0：2 0x81000000 /boot/zImage…

  • [参考译文] LM76202-Q1：TVS 二极管和肖特基二极管

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1119802/lm76202-q1-tvs-diode-and-schottky-diode 器件型号： LM76202-Q1 请告诉我输入 TVS 二极管和输出 肖特基二极管。 在数据表 中、图41中有…
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  • RE: [参考译文] TPS25942A：关于 TPS25942A 故障和 TINA-TI

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢大家分享原理图。 TVS 和肖特基二极管的选择在一开始看起来似乎是错误的。 错误选择这些组件是电子保险丝设备出现故障的最常见原因。 请 参阅以下文档、了解选择 TVS 在热插拔/电子保险丝应用中的重要性 https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2019/12/06/selecting-tvs-diodes…
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  • RE: [参考译文] XTR111-2EVM：XTR111-2EVM

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢 Luis 的及时回应。 在这种情况下、电阻器 R16和 R17的容差是否会导致 TUE (总体未调整误差)？ 让我作进一步解释。 TIDA-01536设计指南中报告了 XTR111 TUE 的总计算值。 为方便起见、我包含以下公式。 考虑到电阻器 R16和 R17以及 EVM 的输出元件(MOSFET、TVS、15 Ω)、该公式如何更改？ 此外、我们是否还应该考虑该公式中的稳压器误差…

  • [参考译文] TPS23861：多个器件故障

    Other Parts Discussed in Thread: TPS23861 , TPS40210 , LM5575 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1568988/tps23861-multiple-device-failur…
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  • RE: [参考译文] BQ25792：为什么 bq25792已损坏？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 内部 BATFET 的额定电压仅为20V。 如果热插拔4S 电池组、则插入时的电压尖峰可能会损坏 BAT 和 SYS 引脚。 我们建议在靠近 IC 的 BATP 引脚上添加一个电容器和/或一个 TVS 二极管来保护 IC。 最新的数据表应用图和 EVM 用户指南展示了这一点。 此致、 杰夫
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  • RE: [参考译文] BQ25792：为什么 bq25792已损坏？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 内部 BATFET 的额定电压仅为20V。 如果热插拔4S 电池组、则插入时的电压尖峰可能会损坏 BAT 和 SYS 引脚。 我们建议在靠近 IC 的 BATP 引脚上添加一个电容器和/或一个 TVS 二极管来保护 IC。 最新的数据表应用图和 EVM 用户指南展示了这一点。 此致、 杰夫
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  • RE: [参考译文] BQ25792：为什么 bq25792已损坏？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 内部 BATFET 的额定电压仅为20V。 如果热插拔4S 电池组、则插入时的电压尖峰可能会损坏 BAT 和 SYS 引脚。 我们建议在靠近 IC 的 BATP 引脚上添加一个电容器和/或一个 TVS 二极管来保护 IC。 最新的数据表应用图和 EVM 用户指南展示了这一点。 此致、 杰夫

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