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  • [参考译文] TMDSEMU560V2STM-U：扁平电缆断开

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    Other Parts Discussed in Thread: TMDSEMU560V2STM-U 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1480952/tmdsemu560v2stm-u-broken-flat-cable 器件型号： TMDSEMU560V2STM-U …
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  • RE: [参考译文] BQ76952：ESD 保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rahul： 感谢您澄清您还参考了哪些数字和参考文档。 对于 EVM、FET 上具有 ESD 电容器和火花塞以及 ESD 电容器形式的 ESD 保护。 如果您也愿意、也可以使用 TVS 二极管、但设计该 EVM 的人员却决定不使用。 此致、 Alexis
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  • RE: [参考译文] ADS124S08：IEC 61000-4-6 4线 PT100端口抗传导干扰测试失败、IC 损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bob： 感谢您的答复。 在我们的应用中、总共有6个端口的 ADC。 其中4个用于测量+/-10V、2个用于通过方框图中所示的4线 PT100传感器测量温度。 这些数据通过 ADC 的 SPI 传送到 MCU、 这些数据将通过我们的软件 Web 工具恢复。 通过 RS485器件进行通信的主要设计和模拟测量器件。 如您所述、通过添加串联的铁氧体磁珠可能会解决该问题…
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  • RE: [参考译文] BQ25798：IC 火灾

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dave： 哇！ 这一点以前没见过。 我可以看到完整的原理图吗？ 您是否按照数据表和 EVM 用户指南中的建议在 BAT 上添加了 TVS 二极管？ BAT/BATP 和 SYS 引脚的额定电压仅为20V。 SYS 上的 MOSFET 可能导致电压出现尖峰的瞬变、尤其是在负载释放时。 此致、 Jeff
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  • RE: PGA309：我在使用USB_DAQ校准中使用钳位和并行使用2块板出现的一些问题

    已解决
    收到如下英文论坛回复： The PGA309 over and under scale limit is designed to be a ratio of the reference voltage Vref (see user's guide PGA309 user's guide section 2.9). Thus, if a 4.096V reference is used the maximum clamp is 4.096V * 0.9708 = 3.976V. If…
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  • RE: [FAQ] [参考译文] [FAQ] PROCESSOR-SDK-AM62X/A/P：如何使用 SYSFW 跟踪调试 AM62x/AM62A/AM62P 的深度睡眠？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 生成日志和运行分析程序脚本 使用所做的新更改启动器件。 要隔离与深度睡眠相关的日志、仅在进入深度睡眠之前开始运行解析器脚本。 在 EVM 终端上、让它准备好进入深度睡眠状态。 root@am62xx-evm:~# echo mem > /sys/power/state 在主机终端上、设置脚本： HOST:~$ cd <SDK Install Directory>/bin…
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  • RE: [参考译文] TPS23730：TPS23730设计_变压器匝数比检查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Diang： 我们仍将保持 齐纳/TVS 二极管的设计以限制11&12的过冲、我们将尝试获取 将绕组匝数减少11&12的样片来进行测试。 TI 是否有 PMP22806的 EVM？ 谢谢。

  • LM74610-Q1: LM74610-Q1

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM74610-Q1 As mentioned from the spec:" In case of reverse voltage pulses such as in ISO specs, the LM74610 turns the MOSFET off. When the MOSFET turns off the voltage seen by the LM74610, Anode to Cathode is - (clamping voltage of TVS…
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  • RE: [参考译文] LM74502-Q1：用作稳压器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Zabbza： Q2用于提供反极性保护。 如果您不需要此功能、则可以选择将其删除。 Dz 用于保护 VS 引脚、而 R2和 R3将在特定电平后使 FET 截止并保护下游电路。 确实不需要 TVS 来钳制 负载突降。 您可以参考 EVM 以获取元件选型帮助。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] BQ25750EVM：48V 电池损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kris、 感谢您的配合。 关于 BATDRV 如何尖峰到85V、这是一个非常好的问题。 TVS 二极管通常也比齐纳二极管更快。 为确保正确、您对 TVS 二极管和 BATFET 使用了 SMAJ11CA/TR7和 AONS66917？ 对于 EVM、我有几个问题。 BATFET 使用了哪些 FET？ BATFET RC 是否已更改？ 之后、R22和 R25 (10Ω…

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