Other Parts Discussed in Thread: ISO5451 , ISO5452 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/919142/iso5452-q1-iso5452-q1 器件型号: ISO5452-Q1 主题中讨论的其他器件…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Komal、
感谢您关注我们的器件、我叫 Mamadou Diallo、是高功率驱动器组的应用工程师。
并联 N 沟道 MOSFET 可短暂提升驱动器的峰值拉电流、从而实现更快的导通瞬态。 当输出状态从低电平变为高电平时、此 N 沟道 FET 仅在短时间内有效、并在其余时间保持关断状态。
这有助于驱动器在功率 FET 的米勒平坦区提供有效的必要峰值电流。
如果您有其他问题…