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  • RE: [参考译文] ISO5452：抖动

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kura、 感谢您关注 ISO5452器件。 我们不测试上升/下降时间抖动、也没有相关规格。 该规格适用于特定负载[1nF]的上升和下降时间、如数据表中所述。 最好理解 抖动是否是 您当前应用的关键规格。 您可以分享更多详细信息吗？ 有 上升(tPLH)和下降(tPHL)的传播延迟规格、还有脉冲偏斜规格|tPHL–tPLH|。 谢谢 Sasi
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  • RE: [参考译文] ISO5451-Q1：ISO5851-Q1之间的 ISO5451-Q1差异

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Manu、 请查看以下常见问题解答、了解不同 ISO5x51器件之间的差异。 ISO585x 和 ISO545x 之间的主要差异是峰值工作电压隔离额定值、在数据表中用 V_IORM 表示(分别为2121V 和1420V)。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power…
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  • RE: [参考译文] ISO5452：启动期间的 DESAT

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shafeng、 参考 ISO5452数据表的这个表、在第一行、我们可以看到、当 VCC2小于或等于9.5V 时、OUTH/L 将保持低电平。 在这种情况下不会触发 DESAT / FLT、但栅极电压将保持在 VEE2。 在 ACPL-332J 数据表中、我发现以下说明："一旦 ACPL-332J 的 VO 被允许变为高电平(VCC2 - VE > VUVLO+)、ACPL…
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  • RE: [参考译文] ISO5452：IN+ IN-内部 PU/PD 电阻器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shafeng、 您可以参阅 这篇文章 、其中介绍了内部 PD/PU 电阻器值。 PVT 拐角处的电阻介于40k 和100k 之间。 如果这回答了您的问题、请按 绿色按钮告诉我！ 谢谢、 Vivian

  • RE: [参考译文] UCC21750：抖动

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kura、 感谢您关注 UCC21750器件。 我也看到了您关于 ISO5452的另一个问题。 我们没有"上升/下降时间抖动"规格、也没有测试。 该规格适用于特定负载[10nF]的上升和下降时间、如数据表中所述。 最好了解 抖动是否是 您当前应用的关键规格。 您可以分享更多详细信息吗？ 谢谢 Sasi
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  • RE: [参考译文] ISO5452：9V 低氧阈值电压是否存在任何问题？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 阿基 最佳脱饱和阈值因设备而异，可能需要对其进行调整。 一旦他们安装了去饱和二极管和串联电阻器，它将达到7V 的电压，具体取决于他们使用了多少个 HV 阻塞二极管(1或2) 如果他们不打算使用“增加充电电流方法”，他们可以使用 UCC217x 低饱和度阈值校准器来帮助指导设计，但请注意，其他页面将不起作用，因为设计值不同。 如果您有任何问题，请告诉我，否则，您能否按 绿…
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  • [参考译文] ISO5852S：具有去饱和保护的等效浇口驱动器

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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S , ISO5452 , ISO5851 , ISO5451 , UCC21750 , UCC21710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1071466/iso5852s…
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  • [FAQ] [参考译文] [常见问题解答]隔离式栅极驱动器：为什么 OUTH 比 OUTL 具有更高的有效电阻？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1124306/faq-isolated-gate-drivers-why-does-outh-have-a-higher-effective-resistance-compared-to-ou…
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  • [FAQ] [参考译文] [FAQ] Gate Driver FAQ–Frequently Asked Questions (Gate Driver常见问题)：

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG1020 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1096147/faq-gate-driver-faq-frequently-asked-questions 主题中讨论的其他部件…
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  • [参考译文] ISO5452-Q1：ISO5452QDWQ1驱动器 IC 的引脚10 (IN+)处的输入栅极脉冲中断

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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5452 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1043644/iso5452-q1-input-gate-pulse-getting-disrupted-at-pin…
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