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  • RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：查询基本和增强型隔离电压额定值

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Stratos、 我需要说明的一点是、ISO585x 系列均属于增强型隔离。 我们的 UCC217xx 系列有一些器件被评定为基本隔离。 对于我们的产品、虽然一些增强型和基础型隔离器件之间的封装是相同的(两者都可能具有8mm 爬电距离)、但我们根据在器件鉴定过程(将器件上市之前)中收集的数据、所达到的 VDE 或 UL 认证绝缘电压电平以及最终测试条件/电压来确定隔离级别…

  • RE: ISO5852S: 栅极驱动求助

    您好 请问您测试过几个芯片，如果芯片没问题，请检查电路设计（参考评估板网页上的 Design files）。 https://www.ti.com/tool/ISO5852SEVM https://www.ti.com/tool/ISO5852SDWEVM-017 TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese Catalan Hmong Daw Romanian …

  • RE: ISO5852S: 故障输出一直为低电平

    guo zhi,您好， 电路设计请参考链接下的评估板网页上的 Design files。 https://www.ti.com/tool/ISO5852SEVM www.ti.com/.../ISO5852SDWEVM-017
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  • RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：SiC MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 ISO5852s EVM 未专门针对 SiC 进行评估、可能需要进行调整。 最好的选择是使用采用到 xx7封装的分立式 SiC FET、但同样、栅极电阻器和 DESAT 电路可能需要针对开关进行调整。 我不能在这里给出一个最好的特定器件型号、我的建议是查看 Wolfspeed 分立式 FET 选项、因为将此板调整为与半桥模块配合使用可能会很麻烦。 最好 Dimitri…
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  • RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：适用于 SiC-MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Hide-San、 很抱歉耽误你的时间；是的、我收到了你的电子邮件地址。
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  • RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：栅极电压是否可编程？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Danilo、 EVM 的栅极电压由变压器设置、变压器通过单个5V 电源设置 VCC2 = 17V 和 VEE2 =-5V。 在"4.1原理图"部分中、其中一个要点说明了如何将变压器的输入电源分离、以实现不同的栅极驱动器导通和关断电压。 此外、该 EVM 旨在允许直接连接到标准150mm×62mm×17mm 封装 SiC MOSFET 和 Si IGBT…
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  • RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：查询此驱动器板与 SiC 电源模块的集成情况

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kavita、 是的、它应该能够驱动市场上的大多数模块。 如果您需要更多电流、请查看我们的 UCC21750系列器件-它们提供+/-10A 电流能力。 我们没有关于 ISO5852驱动 SiC 的任何数据。 您可能需要查看以下文档： www.ti.com/.../slua963a.pdf
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  • RE: [参考译文] WEBENCH®︎工具/ISO5852SDWEVM-017：ISO5852SDWEVM-017

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Huabin、 只需更新该主题、即可让您知道 EVM 文件现已上线 TI.com 它们可在 EVM 页面的"设计文件"下找到 EVM 页面链接 ： https://www.ti.com/tool/ISO5852SDWEVM-017 EVM 设计文件链接： https://www.ti.com/lit/zip/sllr117 请随时告知我们您在设计中加入…
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  • RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：原理图的更好版本

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Howard、 请参阅下面随附的 ISO5852SDWEVM-017 .pdf 版本。 ISO5852S 的输出端添加了 BJT 缓冲器、以提高并联 IGBT 的电流驱动强度。 请参阅此参考设计、该参考设计使用 ISO5852S 来实现该目的：" 适用于具有短路保护和电流缓冲 器的并联 IGBT 的栅极驱动器参考设计"。 此致、 Audrey …
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  • [参考译文] ISO5852S：用于提供去饱和引脚保护的肖特基二极管选择

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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5852SDWEVM-017 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/822960/iso5852s-shocttky-diode-selection-for-the…
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