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RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：查询基本和增强型隔离电压额定值

admin

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Stratos、我需要说明的一点是、ISO585x 系列均属于增强型隔离。我们的 UCC217xx 系列有一些器件被评定为基本隔离。对于我们的产品、虽然一些增强型和基础型隔离器件之间的封装是相同的(两者都可能具有8mm 爬电距离)、但我们根据在器件鉴定过程(将器件上市之前)中收集的数据、所达到的 VDE 或 UL 认证绝缘电压电平以及最终测试条件/电压来确定隔离级别…
- 7 个月前
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RE: ISO5852S: 栅极驱动求助

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您好请问您测试过几个芯片，如果芯片没问题，请检查电路设计（参考评估板网页上的 Design files）。 https://www.ti.com/tool/ISO5852SEVM https://www.ti.com/tool/ISO5852SDWEVM-017 TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese Catalan Hmong Daw Romanian …
- 5 个月前
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RE: ISO5852S: 故障输出一直为低电平

Alice

guo zhi,您好，电路设计请参考链接下的评估板网页上的 Design files。 https://www.ti.com/tool/ISO5852SEVM www.ti.com/.../ISO5852SDWEVM-017
- 9 个月前
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RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：SiC MOSFET

admin

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 ISO5852s EVM 未专门针对 SiC 进行评估、可能需要进行调整。最好的选择是使用采用到 xx7封装的分立式 SiC FET、但同样、栅极电阻器和 DESAT 电路可能需要针对开关进行调整。我不能在这里给出一个最好的特定器件型号、我的建议是查看 Wolfspeed 分立式 FET 选项、因为将此板调整为与半桥模块配合使用可能会很麻烦。最好 Dimitri…
- 3 年多前
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RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：栅极电压是否可编程？

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好 Danilo、 EVM 的栅极电压由变压器设置、变压器通过单个5V 电源设置 VCC2 = 17V 和 VEE2 =-5V。在"4.1原理图"部分中、其中一个要点说明了如何将变压器的输入电源分离、以实现不同的栅极驱动器导通和关断电压。此外、该 EVM 旨在允许直接连接到标准150mm×62mm×17mm 封装 SiC MOSFET 和 Si IGBT…
- 4 年多前
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RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：适用于 SiC-MOSFET

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、隐藏、在深入了解为 SiC 设计 ISO5852S 的详细信息之前、我想介绍一下我们的 UCC217xx 系列器件。 UCC217xx 是一系列器件、某些型号与 ISO5852S 引脚对引脚兼容、例如 UCC21750。 UCC217xx 系列器件提供10A 拉电流和10A 灌电流、从而无需使用 ISO5852SDWEVM-017中的推挽电流缓冲器设计。您可以在此链接上看到有关…
- 4 年多前
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RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：查询此驱动器板与 SiC 电源模块的集成情况

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Kavita、是的、它应该能够驱动市场上的大多数模块。如果您需要更多电流、请查看我们的 UCC21750系列器件-它们提供+/-10A 电流能力。我们没有关于 ISO5852驱动 SiC 的任何数据。您可能需要查看以下文档： www.ti.com/.../slua963a.pdf
- 4 年多前
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RE: [参考译文] WEBENCH®︎工具/ISO5852SDWEVM-017：ISO5852SDWEVM-017

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Huabin、只需更新该主题、即可让您知道 EVM 文件现已上线 TI.com 它们可在 EVM 页面的"设计文件"下找到 EVM 页面链接： https://www.ti.com/tool/ISO5852SDWEVM-017 EVM 设计文件链接： https://www.ti.com/lit/zip/sllr117 请随时告知我们您在设计中加入…
- 4 年多前
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RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：原理图的更好版本

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好 Howard、请参阅下面随附的 ISO5852SDWEVM-017 .pdf 版本。 ISO5852S 的输出端添加了 BJT 缓冲器、以提高并联 IGBT 的电流驱动强度。请参阅此参考设计、该参考设计使用 ISO5852S 来实现该目的：" 适用于具有短路保护和电流缓冲器的并联 IGBT 的栅极驱动器参考设计"。此致、 Audrey …
- 5 年多前
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RE: [参考译文] ISO5852S：用于提供去饱和引脚保护的肖特基二极管选择

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好 Rajasekaran、肖特基二极管用于在电压瞬态事件期间将去饱和引脚钳位到最大额定电压、从而保护去饱和引脚。肖特基二极管因其快速恢复时间和低电容而闻名、因此适用于快速过压保护。您可以参阅 ISO5852SDWEVM-017的设计、它使用额定电压为30V 和0.2A 的肖特基二极管此致、 Audrey
- 5 年多前
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