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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：EVM 电路板尺寸

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 只需确认该 EVM 是否适合标准半桥模块、例如三菱的 CM225DX-24S1和其他供应商的类似外形模块。 因此、尺寸(以 mm 为单位)将相应地为94.5 mm 和57.5mm。 此致、 Rais

  • 5 年多前
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• 请问在哪儿可以下载到ISO5852SDWEVM-017的原理图

  

  jack liu55

  Other Parts Discussed in Thread: ISO5852SDWEVM-017 请问在哪儿可以下载到ISO5852SDWEVM-017的原理图？ sllu298.pdf 中的原理图被模糊掉了，看不清楚

  • 6 年多前
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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：原理图的更好版本

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Saad、 是的、我们将为您提供原理图。 抱歉！

  • 6 年多前
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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：栅极驱动器的隔离式额定功率

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Howard、 通过非无功电路从电压源对电容器充电、通过非无功电路对电容器放电始终是能量损耗的过程。 在充电期间、能量量被定义为 Qdv。 对于线性电容器 Q = CV。 因此，能量量是 DE = C*V*dv。 集成后、电容器的能量为 E=C*V*V/2、或者 E=Q*V/2。 同时，从电压源为电容器充电的总能量为 Q*V 因此、对于线性电容器、总能量的一半用于存储在电容器中…

  • 6 年多前
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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：该电路板是否已使用真正的 IGBT 或 MOSFET 进行测试？

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Howard、 请联系我讨论具体的测试条件。 此致、 Rais r-miftakhutdinov1@ti.com

  • 6 年多前
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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：为什么使用5A 缓冲晶体管时拉电流和灌电流可以达到20A？

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Howard、 你是对的。 请记住、计算值是可以拉入/灌入 IGBT 的最大值。 您考虑峰值集电极电流的原因。 但实际上、由于 BJT 的开通延迟和上升/下降时间的影响、实际值将略小于计算值。 但是、您仍然希望通过选择比计算值更高的电流能力来为晶体管提供足够的裕度。 如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮。 此致、 -Mamadou

  • 6 年多前
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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：文档中未解答 EVM 问题

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/138/1651.HVP017A_5F00_PCBlayers.PDF 您好、John、 我已附上直接从 Altium 派生的 pdf 格式的 PCB 设计文件。 我认为它的分辨率要好得多。 请告诉我们这是否适合您。 此致、 Rais

  • 6 年多前
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• RE: [参考译文] ISO5852SDWEVM-017：文档中未解答 EVM 问题

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rudy、 ISO5852SDWEVM-017适合152 x 62 x 17mm 模块的外形尺寸。 除了较长的导线和相关的寄生效应外、我在将其连接到 SKM400GB128D 模块时没有发现任何问题。 驱动器板中的两个通道是独立的。 包含的逻辑可防止两个通道重叠。 用户指南中介绍了如何禁用逻辑以允许在需要时进行重叠。 有关 Altium 设计文件、请提供您的联系信息、以便我可以直接将其发送给您…

  • 6 年多前
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• RE: 同时具有外部独立可编程功能和保护电路的SiC-MOSFET驱动芯片

  

  Johnsin Tao

  Hi 类似下面设计也不合适吗？ 适用于 SiC 和 IGBT 电源模块的驱动和保护评估板： www.ti.com.cn/.../ISO5852SDWEVM-017

  • 6 年多前
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