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[参考译文] SN65HVD3085E:通过低侧开关连接电池
admin
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Other Parts Discussed in Thread: SN6501 ,
ISOW1412
, SN65HVD3085E , ISO3086T , ISO1412 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1331895/sn65hvd3085e-connection-of-batteries…
已回答
3 个月前
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接口(参考译文帖)(Read Only)
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RE: [参考译文] ISOW1412:流焊
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shotaro-San: 感谢您的联系。 是的、支持并建议进行回流焊。 请参阅以下应用报告、了解回流焊曲线和其他详细信息。 谢谢。 MSL 等级和回流焊曲线 此致、 拉奥·科特什瓦尔
11 个月前
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RE: [参考译文] ISOW1412:原理图和布局问题
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shotaro-San: 感谢您与我们联系。 您可能错过了原理图的附加内容、因此我不确定哪些是 C4和 L5、但我仍能回答您的问题。 请在下面找到我的输入内容、
ISOW1412
对去耦电容器没有特定要求。 0.01µF μ F 和1µF μ F 电容器提供
ISOW1412
所需的瞬态、而额外的10µF μ F 是保持器件稳定电源的大容量电容器。 μ 10µF 的变化不应影响器件运行…
11 个月前
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ISOW1412: 是否支持 MCU UART 转 CAN?或者哪个可以?
yong luo
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Part Number:
ISOW1412
Other Parts Discussed in Thread: ISO1044 , TCAN4550 1、项目需要 UART 转 CAN 通讯,带隔离,查到
ISOW1412
有 MCU TXD/RXD,不确定是否是 UART 的 TXD/RXD 还是 CAN 的,规格书里边并没有描述。 2、帮忙推荐 UART 转 CAN FD IC 或者 设计,最好 >=1Mbps。如果没有这么高的,也可以 500Kbps 。
已回答
11 个月前
隔离
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RE: [参考译文] ISOW1412:共模噪声
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shotaro-San: 感谢您与我们联系。 谢谢、请在下面查看我的意见。 请参见下面的输入、 共模电流环路将从左侧的任何引脚到右侧的任何引脚形成。 环路路径为:左侧引脚→通过器件中的内部路径→右侧引脚→到左侧的任何或所有寄生路径(通过空气或电路板寄生电容)。 只要存在开关电流、就会形成许多共模电流环路。 最常见的情况是、电源引脚具有较高的开关电流、而数据引脚具有极小的开关电流…
11 个月前
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RE: [参考译文] ISOW1412:短路保护
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas: 欢迎来到 TI E2E 论坛! 如果 mode=HIGH (VDD=5V --> VISOOUT=5V),效率不应高于46%? 对于3.3V 和5V 的输出电压、
ISOW1412
的典型效率为46%。 数据表说明仅当 VISOOUT=3.3V 时短路输出电流,VISOOUT=5V 时可能有什么预期? VISOOUT = 5V 时的短路输出电流也相同…
1 年多前
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RE: [参考译文] ISOW1412:IDD 与数据速率间的关系@Vdd=5V
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shotaro-San: 抱歉、我们没有9.6kbps 的电流消耗数据、但我们提供0kbps 的电流消耗信息、9.6kbps 的电流将介于0kbps 和500kbps 的电流消耗之间。 请参阅数据表中的下表。 在 VDD = 5V 的相同测试条件下、突出显示的56mA 电流对应于0kbps、而62mA 电流对应于500kbps。 因此、9.6kbps 时的电流消耗通常在56mA…
1 年多前
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RE: [参考译文] ISOW1412:电源和输出电流、PROFIBUS 模式
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shotaro-San: 感谢您跟进其他问题。 请注意、电源电流特性表中指定的电流基于实际特性测量数据。 观察到的典型和最大电流也是基于实际测量数据而非计算值。 我还想说明的是、175mA 的典型 IDD 值是在典型工作条件下以及~46%的典型效率下测量的。 最大 IDD 值292mA 是在最坏情况样本、最坏情况电源电压(~4.5V)、最坏情况温度和最坏情况效率(不是46…
1 年多前
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RE: [参考译文] ISOW1412:布局上的"任何金属的排除区域"
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shotaro-San: 感谢您的澄清。 是的、您的理解是正确的。 主要思路是使 GND2引脚和铁氧体磁珠滤波 GND 保持独立。 任一层相互交叉都会导致铁氧体磁珠无用。 这就是我们不建议在顶层或底层交叉这些层的原因。 请参阅以下简短的技术手册、其中更详细地介绍了这一点、并讨论了其他 PCB 布局指南。 此文档引用了 ISOW7741、但同样适用于
ISOW1412
…
1 年多前
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RE: [参考译文] ISOW1412:差分信号上的脉冲输出(~34.5khz)
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 通过提起引脚9 (Vdd)禁用电源并将电源和接地跳转到芯片的总线侧(引脚15和16、Gisoin 和 Visoin)、可以消除该问题。 我的问题似乎是、为了快速实现原型旋转、我在去耦电容器之后连接了 Vio 和 Vdd、而不是每个电容器都独立去耦并连接到 Vcc 总线。 确定了具体问题后、我能够移除总线侧的电源跳线、并通过将提升的 Vdd 引脚连接到我的去耦电容器组中间的 Vcc…
1 年多前
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