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• RE: [参考译文] TPS6521905：芯片使用问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好： TPS6521905 的默认配置为 PB 配置。 需要按下按钮（下降沿）才能使器件进入活动模式。 但是、默认情况下会禁用所有 BUCK 和 LDO。 它们不会在活动模式下输出、因为它们被禁用。 TPS6521905 是一种空白 配置、 默认情况下禁用所有输出、大多数寄存器值设置为 0h。 应在预期使用之前对 NVM 进行编程。 或者、在烧录 NVM 之前、通过 I2C 切换寄存器设置以检查器件性能…

  • 3 个月前
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• RE: [参考译文] TPS748A：有关 VSS 和 ISS 的最小值和最大值的问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Takaoki、 我们没有为不同 VSS 值下的 ISS 电流表征最小值/最大值。 一般来说、对于现代 LDO、我们假设影响导通的所有值(包括外部软启动电容器)都有大约20%的容差。 我建议获取适用于 TPS748A 的评估模块(EVM)、并使用实际的软启动电容器和输出负载评估导通情况。 谢谢！ Stephen

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] DLPLCRC900EVM：PLM EVM 发出意外的 LED_ENB 信号

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、亚伦、 我已经意识到了一点。 在我的 TMUX1108电路板中、当+12V 升压时、U1 (LDO)会在3.3V、因为需要在+12V 通过 J24 (插孔)进入 EVM 之前产生镜片偏置电压。 因此、如果实施了 J21、J22、J23跳线、则将通过 R7、R8、R9 (1K Ω)向 EVM 提供+3.3V 电压。 这意味着3.3V 电压将施加到 DLPC900的*_LED_EN…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] DAC7811：仅使用正电源/基准即可获得 0 至 5.5V 摆幅

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Katlynne： 我们正在制作一个 EVM、允许客户使用各种波形实时测试器件。 其中绝大多数将是方波/数字模式、但有些将是正弦波/三角波/锯齿波/等 模拟输入主要用于比较器、这正是我们需要 DAC 的用途。 电路板上的其他位置有一个 12 位 ADC、因此 DAC60501 可能最适用。 但是、我仍然有与之前相同的问题：如果我想要 0V 至 5.5V 的电压摆幅…

  • 4 个月前
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• RE: [参考译文] BQ25616：发热问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ryker： 发生这种情况的充电电流和电池电压是多少？ 如果器件的电池电压低于 MINSYS、则 BATFET 将在 LDO 模式下运行、这种模式会产生更高的功率损耗。 其次、GND 路径没拼接得很好。 散热焊盘底部平面只有4个散热过孔。 在我们的 EVM 上、有9层、大多数底层是 GND 平面。 此外、GND 引脚本身不接至顶层。 在我们的 EVM 上、我们将其引出并将其灌入底层…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] TPS6594EVM：TPS6594EVM-POWER 问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicholas： 1：您可以 在通过 GUI 对 EVM 进行编程时测试 LDO1、2、3、4。 点击"Program Device"后、直至成功编程。 请看我的图片。 2：是、如果 VIO_IN 在 LDO1=0.6V 时连接 LDO1、则 PMIC 无法与 MCU 连接 3：是的、您是对的、我想在 VCCA 为0V、PMIC 不工作时设置…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] TPS6594EVM：TPS6594EVM-POWER 问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicholas： 1：您可以 在通过 GUI 对 EVM 进行编程时测试 LDO1、2、3、4。 点击"Program Device"后、直至成功编程。 请看我的图片。 2：是、如果 VIO_IN 在 LDO1=0.6V 时连接 LDO1、则 PMIC 无法与 MCU 连接 3：是的、您是对的、我想在 VCCA 为0V、PMIC 不工作时设置…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] TPS6594EVM：TPS6594EVM-POWER 问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicholas： 1：您可以 在通过 GUI 对 EVM 进行编程时测试 LDO1、2、3、4。 点击"Program Device"后、直至成功编程。 请看我的图片。 2：是、如果 VIO_IN 在 LDO1=0.6V 时连接 LDO1、则 PMIC 无法与 MCU 连接 3：是的、您是对的、我想在 VCCA 为0V、PMIC 不工作时设置…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] TPS6594EVM：TPS6594EVM-POWER 问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicholas： 1：您可以 在通过 GUI 对 EVM 进行编程时测试 LDO1、2、3、4。 点击"Program Device"后、直至成功编程。 请看我的图片。 2：是、如果 VIO_IN 在 LDO1=0.6V 时连接 LDO1、则 PMIC 无法与 MCU 连接 3：是的、您是对的、我想在 VCCA 为0V、PMIC 不工作时设置…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] TMS320F28.0049万C：需要对VDD引脚去耦的设计支持

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Jens，您好！ 要求的总容量为20uF，建议并行安装两个10uF。 参见下表： ESR28.0049万VDD-pins]ESR问题10uF for CVDD或Cvdio： 根据BOM，Murata的GRM188R61A106ME69D类型用于C1和C2的EVM板上。 根据数据表，此类型的耗散因子为0.1@1kHz。 使用公式tan (Delta)= ESR * 2*Pi…

  • 3 年多前
  • C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）
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