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• RE: [参考译文] ISOUSB211：ISOUSB211故障排除

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anwar、您好！ 感谢您的进一步投入。 我有以下调试建议要尝试、 您能否添加一个与 C1 (US VBUS)并联的10uF 电容器和与 C5 (DS VBUS)并联的10uF 电容器？ 我看到这个十进位是 PCB 和 EVM 之间的一个差异。 如果10uF 无法正常工作、请尝试22uF。 最终、USB 标准需要在可面临动态连接的下行端口上的 VBUS 上使用120uF…

  • 3 年多前
  • 隔离（参考译文帖）
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• RE: [参考译文] TPS6594-Q1：PMIC 通过 GUI 连接到计算机不稳定、连接器成功发生后、GUI 烧录 NVM 代码、报告 EEPROOM 解锁故障、无法执行刷写

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicholas 1、 寄存器0xX5A 和0x6C 的屏幕截图如下。 2. TPS65941213 FET 后的输入电压为3.3V、与 TPS65941111相同。 3. 在出厂前 TPS65941213和1111是否有默认配置？ 如果我没有连接到 GUI、把使能引脚上拉至3.3V，芯片就是 自动化工作，降压和 LDO 的输出是0.8V、0.85V、1.8V 等。 …

  • 1 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
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• RE: [参考译文] AM6442：SK-AM64B 的 VDDA_PLL 去耦电容

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kanae、 我仍在努力了解这些变化。 请参阅以下有关 LDO 上允许的电容的输入 AM64B SK EVM 使用 TPS6522053 (在功能上等同于 TPS65219)型号，该型号的 LDO 配置为“慢速斜坡”。 此配置允许高达4uF 的本地电容(靠近 PMIC)和高达30uF 的总电容(本地+远程)。 此致、 Sreenivasa

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] PCM5102A：错误的过采样率

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 Wolfgang、 您是否请 包括 R 和 L 通道的完整周期（DIN、LRCLK 和 BCK、类似于数据表中的图 13 — 因为没有 LRCLK 波形没有意义） 另外、请将您的电路板的原理图发送给我。 如果您 发送的 是适合您的旧设计版本、这将很有用。 您是否尝试过 不同的 SCK 和接地 SCK 来获取更多数据点以进行调试？ 请 确认 VNEG 和 LDO 电压正常（它们应该正常…

  • 5 个月前
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• [参考译文] LAUNCHXL-F28P65X：温度过高异常

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1402624/launchxl-f28p65x-abnormal-high-temp 器件型号： LAUNCHXL-F28P65X 工具与软件： 你(们)好 我的客户使用的是…

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  • 1 年多前
  • C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）
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• RE: [参考译文] LM27761：使用反馈电阻器降低电阻值的影响？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢 Varun 的支持。 尊敬的 Gregor： LM27761是一款非常旧的器件、最佳实践是遵循 d/s 建议。 该器件在 R2>50K 的条件下进行表征和测试。 使用较低的反馈电阻可能会降低效率。 LDO 稳定性也可能受到影响。 因为 VFB 会馈送到 LDO。 VFB 取决于电阻器的选择。 因此、我建议您首先在 EVM 上尝试此操作、并确认器件满足所有系统要求…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM27761：使用反馈电阻器降低电阻值的影响？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢 Varun 的支持。 尊敬的 Gregor： LM27761是一款非常旧的器件、最佳实践是遵循 d/s 建议。 该器件在 R2>50K 的条件下进行表征和测试。 使用较低的反馈电阻可能会降低效率。 LDO 稳定性也可能受到影响。 因为 VFB 会馈送到 LDO。 VFB 取决于电阻器的选择。 因此、我建议您首先在 EVM 上尝试此操作、并确认器件满足所有系统要求…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM27761：使用反馈电阻器降低电阻值的影响？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢 Varun 的支持。 尊敬的 Gregor： LM27761是一款非常旧的器件、最佳实践是遵循 d/s 建议。 该器件在 R2>50K 的条件下进行表征和测试。 使用较低的反馈电阻可能会降低效率。 LDO 稳定性也可能受到影响。 因为 VFB 会馈送到 LDO。 VFB 取决于电阻器的选择。 因此、我建议您首先在 EVM 上尝试此操作、并确认器件满足所有系统要求…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM27761：使用反馈电阻器降低电阻值的影响？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢 Varun 的支持。 尊敬的 Gregor： LM27761是一款非常旧的器件、最佳实践是遵循 d/s 建议。 该器件在 R2>50K 的条件下进行表征和测试。 使用较低的反馈电阻可能会降低效率。 LDO 稳定性也可能受到影响。 因为 VFB 会馈送到 LDO。 VFB 取决于电阻器的选择。 因此、我建议您首先在 EVM 上尝试此操作、并确认器件满足所有系统要求…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM27761：使用反馈电阻器降低电阻值的影响？

  

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  • 2 年多前
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