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  • RE: [参考译文] BQ25756E：尽管 PGOOD=1且 CHARGE_STAT 指示 CC 模式、但没有 MOSFET 开关活动

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Alex、 欢迎您！ BTST 二极管有助于获得高侧 FET 导通所需的电压。 所有 BQ2575X 充电器都必须使用这些 BTST 二极管。 作为参考、一些充电器或栅极驱动器在器件中内置了这些二极管。 我建议将1.8kΩ 和100nF 电容器用于 RC 滤波器。 这与 EVM 相同。 Unknown 说： 根据数据表中的参考设计、我在原理图中添加了10Ω 电阻器 R13…
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  • RE: [参考译文] BQ76952：共享预充电和预放电电阻器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Jessica、 我唯一能想到的是 REG1和 REG2 LDO、它们由 Regin 引脚供电。 这取决于您如何在 BREG 引脚中连接 NPN 晶体管的集电极引脚。 在我们的 EVM 中 、BJT 的集电极连接到 CD、这样一来、连接时便可从充电器上拉电流。 但是、它也可以连接到电池的电池组电压。 更多相关信息、请参阅 TRM 的第12.3节 LDO 。 此致、 何塞·库瑟…
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  • RE: [参考译文] LMK04821：电源纹波

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、William、 未为此器件测量纹波规格。 LMK0482x 系列具有内部电容、如果与去耦电容器以及数据表中提供的其他电源建议配合使用、则可以提供足够的电压稳定。 如果仍担心纹波、我将邀请您查看 LMK04828EVM 的用户指南( LMK04826/28用户指南(修订版 B)(TI.com)) ；其中包含电源原理图。 EVM 附带内置 LDO、在与去耦电容器配合使用时、可完全减轻任何引入纹波的影响…
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  • RE: IWR6843AOP: 电源电压LDO bypass相关

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    你好， 请参考下面的论坛讨论： https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/956831/iwr6843aopevm-ldobypassenable-settings-for-evm-and-lab-code/3559802 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/863505/iwr6843isk-iwr6843-ldo…
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  • [参考译文] TPS7B7702-Q1：需要 TPS7B7702EVM 中1mH 的说明。

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS7B7702EVM , TPS7B7702-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1350614/tps7b7702-q1-need-the-explain-for…
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  • RE: [参考译文] TPS7A74：如何计算结温

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Hailiang、 "小 psi 参数值常见于 LDO、因为大多数内部集成电路是耗散热量的导通器件。" 此外、"psi 参数提供的结温估计值几乎与电路板布局无关。" 而 RθJC 是通过模塑化合物到达冷板的裸片。 由于 RθJC 和 psi 参数与电路板布局的独立性、它是两个完全不同的值。 您应添加散热器、因为您在使用散热器的同时可以实现更好的散热…

  • [参考译文] AFE4960PEVM：MHR041原理图访问、IO_SUP 和 RX_SUP 上的高电压

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1194517/afe4960pevm-mhr041-schematic-access-high-voltage-on-io_sup-and-rx_sup 器件型号： AFE4960PEVM 您好！ 我注意到在将…
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  • RE: [参考译文] DAC8771EVM：0V 至10V 电压输出模式的配置

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Joseph Wu、 我今天收到了 EVM 并开始验证。 但我观察到了零输出电压(VOUT)。 您能否帮助验证我的设置和连接？ 非常感谢您的协助。 当前配置： 电源： 12V 连接到 PVDD/AVDD。 DVDD 电源： 为 DVDD 启用了内部 LDO。 参考资料： ADC 的计量。 通信接口： 将 SPI 与 MOSI、CS 和 SCLK…
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  • [参考译文] TUSB211：LP5907是否可用于 Vcc？

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    Other Parts Discussed in Thread: LP5907 , TUSB211 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1247625/tusb211-can-lp5907-be-used-for-the-vcc 器件型号： TUSB211 主题中讨论的其他器件： L…
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  • RE: [参考译文] DRV8305：无输出、具有较低的 OCP 和电荷泵、VCPH、PVDD UV 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Joshua K ö、 感谢您的提议。 实际上、我们已拆分了 DRV 周围的所有关键电容器、并测量它们的值和状态来 检查任何缺陷或 突破。 同时、我们通过观察电压来检查焊料、并根据 DRV EVM 的原理图重新对其进行焊接。 到目前为止未找到任何问题、请参阅下表。 关于检测电阻、我们 配置0.001Ω 与 DRV EVM 的0.007Ω 或数据表0.005Ω 不同、 根据 E2E…

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