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  • RE: [参考译文] ADS54J60：ADS54J60

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Shambhuling, 备注： 1.您需要按照数据表为 ADC 提供电源定序。 TI EVM 在 LDO NR/SS 引脚上使用了不同值的电容器、但我建议使用 PG 和 EN 引脚来实现这一点。 2.为 LMK 使用100MHz VCXO 可以提供比122.88MHz 器件更多的频率选项。 3.建议对 AVDD3V3_ADC 电源轨使用单独的 LDO。 ADC 具有用于…
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  • RE: [参考译文] IWR6843AOPEVM：LDO 旁路配置

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 伊什塔，您好！ 在这种情况 下，我认为在68xx_3D_peoer_counting lab V4.0.0中提供的 LDO 设置对于 IWR6843AOPEVM 是错误的。 根据 EVM 示意图，VIN_13RF1，VIN_13RF2和 VOUT_PA 都通过 L12，L14和 L1连接到1V0电源。 因此，LDO 设置应为： rlRfLdoBypassCfg_t gRFLdoBypassCfg…
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  • RE: [参考译文] TPS7A20：LDO 的最低可能 VIN

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Olaf、 余量电压(Vin - Vout)在数据表中是有意为之、并非随机规格。 要确定所需的 Vin 电压、必须了解直流负载以及交流线路和负载条件。 您的输入电源经过良好调节、因此我们可以专注于直流和交流负载。 压降规格处理防止输出电压下降设定量所需的 Vin 大小。 请查看数据表条件、了解该值的大小、有时是百分比、有时是类似100mV 的值。 在某些情况下、LDO…
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  • RE: [参考译文] TPS717：在 TPS71750 LDO 中仿真噪声

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的、谢谢、我们来看看 LDO 是否可以在该频谱范围内达到该目标噪声。 我们还可能使用可调版本进行测试、因为我们可以在顶部设定点电阻器上添加一个 Cff (前馈电容器)、其最终效果是降低整个频率范围内的噪声。 我们的本地实验室中有 EVM、但需要3-5个工作日才能进行测量和响应。 谢谢。 斯蒂芬
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  • [参考译文] TPS25730EVM：/FAULT_IN=低电平下的运行

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS25730EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1366731/tps25730evm-operation-under-fault_in-low 器件型号： T…
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  • [参考译文] TPS784-Q1：LDO 和降压转换器之间的输出精度比较(TPS784-Q1、TPS629203)

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS784-Q1 , TPS629203 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1126934/tps784-q1-output-accuracy-comparison-between…
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  • [参考译文] BQ76952：器件比较表和数据存储器设置

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ76952 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1362386/bq76952-device-comparision-table-and-data-memory-s…
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  • RE: [参考译文] DRV5055-5057EVM：查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 射线、 典型的 USB 连接将提供5V 电压。 DRV5055-5057EVM 上来自 USB 的5V 转换为3.3、这用作 PCB 其余部分的 VCC 该 LDO 的可接受输入范围为2.2V 至5.5V、但由于它是 LDO、因此必须确保该电压高于压降电压(最坏情况为250mV)。 由于我们在输出端驱动3.3V 电压、因此我不会尝试使用低于3.6V 的电源来操作此 EVM…
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  • RE: [参考译文] TLV733P-Q1：SW 频率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 东芝文件给出了一个非常基本的讨论。 让我尝试填补一些空白： 输出阻抗由负载决定。 随着负载增加、输出阻抗通常会下降。 2.在较高频率(数百 kHz 至 MHz)下、ESL 和寄生 PCB 电感在 PSRR 中起着重要作用。 输出电容器与组合的 ESL 和寄生 PCB 电感谐振、这是您将看到峰值 PSRR 的频率。 Toshiba 文档建议 PSRR 在高频下是平坦的(图3.3…
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  • [参考译文] DP83867ERGZ-R-EVM：LDO 器件

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS74701 , DP83867ERGZ-R-EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/995034/dp83867ergz-r-evm-ldo-device 器件型号： DP83867ERGZ-R-EVM 主题中讨论的其他器件…

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