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  • [参考译文] TDA4AL-Q1：当 SD LDO EN1更改为另一个 GPIO 时、如何配置该 LDO EN1

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1452299/tda4al-q1-how-to-configured-the-sd-ldo-en1-when-it-changed-to-another-gpio 器件型号： TDA4AL-Q1 工具与软件： 您好、TI 专家团队 …
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  • RE: [参考译文] BQ25120A：未连接 VIN 时 SYS 过高

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我无法在 EVM 上重新创建此行为。 在这两种情况下、平均 VSYS 电压约为 3.3V。 我有以下设置： - VIN = 0V；VBAT = 4V；SYS_VOUT = 3.3V；LDO = 3.3V；SYS_Load = 10mA - VIN = 5V；VBAT = 4V；SYS_VOUT = 3.3V；LDO = 3.3V；SYS_Load = 10mA …
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  • [参考译文] TUSB8041：为 TUSB8041IRGCR 供电的 TPS62827ADMQR 降压转换器的兼容性

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TUSB8041 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1511366/tusb8041-compatibility-of-tps62827admqr-buck-converter-for-powering-tu…

  • TDA4VE-Q1: TDA4VE 烧录咨询

    TI 认为已经解决
    Part Number: TDA4VE-Q1 此器件支持efuse功能且有两个Efuse供电端口VPP_MCU和VPP_CORE. 应用场景：产品需要在产线下线前进行功能烧录，且须支持数据回滚和客户现场FOTA。 1.实现这些应用场景可以板内独立的LDO给TDA4 Efuse供电还是外部通过TP在产线烧录即可。 2.如果在产品内使用LDO给Efuse供电，那么VPP_MCU和VPP_CORE都必须供电吗？在数据手册中需要给两者供电，但是在EVM变更中，只需要给VPP_MCU供电。 此问题十分紧急，望能快速支持…
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  • RE: [参考译文] DRV8300DPW-Q1EVM：3.3V 电源设计查询

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 看起来对于您的应用、LDO 的电流消耗会比我们在 EVM 上设计的要高。 我建议 为您的特定应用计算3.3V 电源在最坏情况下的预期电流消耗、然后与 LDO 团队合作、找到一个 LDO 来支持该电流。 在您根据负载计算出预期电流后、我会将该主题移到 LDO 团队、以支持进一步讨论 LDO 选择。 此致、 Anthony Lodi
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  • [参考译文] AWR1843BOOST：AWR1843BOOST 上的 LDO 旁路-矛盾

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: AWR1843BOOST , DCA1000EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1451633/awr1843boost-ldo-bypass-on-the-awr1843boost---contradiction 器件型号…
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  • RE: [参考译文] TPS7A57：如何将 TPS7A57 连接为恒流源

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Gabriel、 TPS7A57 可能适合您的应用。 1. JEDEC 是我们用于表征热阻的国际标准、以便您将该 LDO 与其他 LDO 进行比较。 JEDEC 标准对您的热性能表示悲观、因此我们也对 EVM 进行了表征。 通常、EVM 比 JEDEC 标准更接近实际设计的实际性能。 热阻以“C/W"为“为单位进行测量。 计算 LDO 上的功率耗散并将其乘以热阻…
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  • RE: [参考译文] LM5171EVM-BIDIR：R68 分流器？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Viktor： 该电阻器用作限流器。 MOSFET 驱动电压是差分电压 Vgs。 LDO 驱动器电路在 VCC 以上悬空、即使用 VCC 作为基准“接地“。 因此、 驱动电压是从 LDODRV 到 VCC 的差分电压。 有效 LDO Vgs = Vgs = V (LDODRV)-VCC VCC - IVCC *R68 且 LDODRV 引脚可以比 VCC 高 4V。 如果对于…
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  • [参考译文] TDA4VH-Q1：VPP_Core 和 VPP_MCU 噪声要求？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TDA4VH-Q1 , TPS7A21 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1478693/tda4vh-q1-vpp_core-and-vpp_mcu-noise-requirements 器件型号： TDA4VH…
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  • RE: [参考译文] TDA4VH-Q1：VDD_PHY_1V8&amp；VDD_DLL_0V8间隔不满足上电序列

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 初始 J784S4 EVM (PROC141Ex_SCH)安装了可选的前馈电容器(CFF)以提高噪声和 PSRR 性能、但安装 CFF 会影响为 Q1供电的分立式 LDO 的上升和下降时间)、用于为电源轨 VDD_PHY_1V8、VDD_GPIORET_WK_0V8和 VDD1_DDR_1V8电源轨供电。 以前的 J7xxx EVM 不需要或未使用此可选的降噪 CFF。 最新 …

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