搜索提示
找到 1,517 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • RE: [参考译文] UCD9090-Q1：FPWM7 GPIO11在加电期间未保持低电平

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 我们怀疑 VCC 的慢速压摆率导致内部 LDO 在开启缓冲器时出现竞态条件。 这就是我们建议您增加的原因、您可以使用外部电源进行测试、同时修改 EVM。 您可以发送 sch 和配置文件吗？ 此致 颐和
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS54120：针对降低噪声的电源电路原理图审查

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Shyam、您好！ 是的、您应该将 LDO GND 和 PGND 分开。 请参阅 TPS54120 EVM 用户指南布局。 谢谢、 Nancy

  • RE: [参考译文] BQ500212A：加电期间睡眠信号

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Rayna 当 SLEEP 引脚没有检测到充电板上的接收器时、该引脚将发出高电平脉冲。 LDO 正常工作、睡眠模式将脉冲单元关闭。 一些故障排除提示： 首次测试新 TX 时、我们建议： –通过使用已知良好的 RX 进行测试、TI 有几种可以很好地工作的 EVM。 –通过将 LED 模式电阻器短接至地来禁用睡眠/贪睡模式。 睡眠和贪睡功能将由内部控制。 注-指示灯将熄灭…
    • Answered

  • RE: [参考译文] IWR1843：内部 LDO 动态旁路和 quot；

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 您假设 电源链默认产生1.3V 电压且 IWR1843正在将内部 LDO 用于射频线路、则假设是正确的。 请 在下面检查 IWR1843器件的唤醒序列 。 我建议您 查看 IWR1843 EVM 原理图以便更好地理解。 https://www.ti.com/lit/zip/sprr370 此致 安盖特
    • Answered

  • [参考译文] TPS65220：PMIC 功能理解

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS6521905 , AM6412 , TPS22965 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1339010/tps65220-pmic-features-unders…

  • RE: [参考译文] TPS65131：低电流(~40mA)下的输出电压崩溃

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、辽卡特、 我已经测试： -我的3块板与 LDO 隔离 -未修改的 EVM-839、与 LDO 隔离 -针对+/-15V 进行了修改的 EVM-839、与 LDO 隔离 -针对+/-15V 进行了修改的 EVM-839、负载为 LDO 测试程序是在输出端连接2个十进制电阻箱、并将负载从1500欧姆降至100欧姆。 在改变负载前、DUT 被断电。 结果将随附以供您查看…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS6594-Q1：I2C 不使用 TPS6594EVM 工具读取 TPS65941120-Q1 PMIC 寄存器内容的原因。

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Nicholas： 您应该怎么做！ 我有另一个问题、请帮助了解原因。 或此计划中的 EVM (J721S2X SOMG01EVM 和 J721EXCP01EVM)、我们自己的电路板。 当我们选择"无引导"时、 一旦引脚 D26、E24、C28有任何上拉电阻、VCCA=0、电源不接通。 TPS65941120-LDO 2 (VDD _ MCU _ GPIORET…
    • Answered

  • RE: [参考译文] ISOUSB111：ISOUSB111数据表问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Tim： 我理解您关于 TPS76701QD 是一款较旧的 IC 且价格昂贵的担忧。 是的、您可以选择任何您认为最符合您要求的 LDO、这不应对 ISOUSB111性能产生任何影响。 TLV76701DGNR 似乎与 TPS76701QD 采用不同的封装、因此、器件更换可能不简单。 如果您能够设法将 TLV76701焊接在 EVM 上、则它应该可以正常工作。 谢谢…
    • Answered

  • RE: [参考译文] SK-AM64B：SK-AM64x SD 卡 OTP 密钥写入

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Canibek、 电路板应在某个位置打印或粘贴以 PROC 开头。 它通常标识您拥有的原理图版本。 您是否对 Keywriter 进行了任何更改？ 我简单看了看、在第一个视图中、提供的代码似乎假定使用的是 TI EVM、而不是任何 starterkit。 例如、在入门套件上、我将 TCA9538视为控制 VPP_LDO_EN 的 I2C 扩展器。 GPEVM 和入门套件确实有不同的硬件来控制…
    • Answered

  • [参考译文] TPS6594-Q1：输出大于建议值时的 LDO 总电容

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS6594-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1336317/tps6594-q1-ldo-total-capacitance-at-output-higher…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。