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  • RE: [参考译文] TPS7A30：TPS7A3001湿度验证失败

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Gregory、 能否请使用 Kyocera 在交流偏置(0.01Vrms 或任何最低值)和直流偏置(Vout)方面的在线工具查看电容？ 我们来确认它满足稳定性所需的最低有效电容(2.2uF)。 您能否在没有保形涂层的情况下进行相同的测试？ 这仍然是一个漏电路径。 值得注意的是、EVM 没有保形涂层、在测试中没有失败。 您能否确认、在清洗后、保形涂层之前、处理 PCB…
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  • RE: [参考译文] F29H85X-5V0-EVM：电源轨 SOM 0_OUT_CAN 保持在 0V

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 抱歉 François、我没有带宽来启用和测试 PMIC 上的所有 LDO。 此外、LDO3/LDO4/PLDO1/PLDO2_OUT 仅连接到 EVM 上的测试点。 这些 LDO 不用于为 EVM 上或下的任何逻辑供电。 启用它们只能勾选电压表。 μ s 为了清晰起见、请执行以下操作： 默认启用 BB_OUT；驱动 VCC_6V0 网络 默认启用 LDO1_OUT；驱动…
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  • RE: [参考译文] BQ25120A：未连接 VIN 时 SYS 过高

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我无法在 EVM 上重新创建此行为。 在这两种情况下、平均 VSYS 电压约为 3.3V。 我有以下设置： - VIN = 0V；VBAT = 4V；SYS_VOUT = 3.3V；LDO = 3.3V；SYS_Load = 10mA - VIN = 5V；VBAT = 4V；SYS_VOUT = 3.3V；LDO = 3.3V；SYS_Load = 10mA …
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  • RE: [参考译文] DRV8300DPW-Q1EVM：3.3V 电源设计查询

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 看起来对于您的应用、LDO 的电流消耗会比我们在 EVM 上设计的要高。 我建议 为您的特定应用计算3.3V 电源在最坏情况下的预期电流消耗、然后与 LDO 团队合作、找到一个 LDO 来支持该电流。 在您根据负载计算出预期电流后、我会将该主题移到 LDO 团队、以支持进一步讨论 LDO 选择。 此致、 Anthony Lodi
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  • [参考译文] TUSB8041：为 TUSB8041IRGCR 供电的 TPS62827ADMQR 降压转换器的兼容性

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TUSB8041 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1511366/tusb8041-compatibility-of-tps62827admqr-buck-converter-for-powering-tu…

  • RE: [参考译文] AMC7834EVM：AVDD 电源轨上的大电流消耗

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Binayak： 如何为 EVM 供电？ 如果您使用 J7、这会为电路板上的多个 LDO 供电、用于解决更高的电流问题。 谢谢、 Erin
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  • [参考译文] AWR1843BOOST：AWR1843BOOST 上的 LDO 旁路-矛盾

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: AWR1843BOOST , DCA1000EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1451633/awr1843boost-ldo-bypass-on-the-awr1843boost---contradiction 器件型号…
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  • RE: [参考译文] TDA4VH-Q1：VDD_PHY_1V8&amp；VDD_DLL_0V8间隔不满足上电序列

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 初始 J784S4 EVM (PROC141Ex_SCH)安装了可选的前馈电容器(CFF)以提高噪声和 PSRR 性能、但安装 CFF 会影响为 Q1供电的分立式 LDO 的上升和下降时间)、用于为电源轨 VDD_PHY_1V8、VDD_GPIORET_WK_0V8和 VDD1_DDR_1V8电源轨供电。 以前的 J7xxx EVM 不需要或未使用此可选的降噪 CFF。 最新 …
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  • [参考译文] TDA4VH-Q1：VPP_Core 和 VPP_MCU 噪声要求？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TDA4VH-Q1 , TPS7A21 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1478693/tda4vh-q1-vpp_core-and-vpp_mcu-noise-requirements 器件型号： TDA4VH…

  • TDA4VE-Q1: TDA4VE 烧录咨询

    TI 认为已经解决
    Part Number: TDA4VE-Q1 此器件支持efuse功能且有两个Efuse供电端口VPP_MCU和VPP_CORE. 应用场景：产品需要在产线下线前进行功能烧录，且须支持数据回滚和客户现场FOTA。 1.实现这些应用场景可以板内独立的LDO给TDA4 Efuse供电还是外部通过TP在产线烧录即可。 2.如果在产品内使用LDO给Efuse供电，那么VPP_MCU和VPP_CORE都必须供电吗？在数据手册中需要给两者供电，但是在EVM变更中，只需要给VPP_MCU供电。 此问题十分紧急，望能快速支持…

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