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  • [FAQ] [参考译文] 【常见问题解答】BQ24800EVM：为什么我的电池静态电流高于预期？

    Other Parts Discussed in Thread: BQ24800 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1543808/faq-bq24800evm-why-is-my-battery-quiescent-current…
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  • [参考译文] TDA4VH-Q1：电源

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TDA4VH-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1422220/tda4vh-q1-power-supply 器件型号： TDA4VH-Q1 工具与软件： 根据 TDA4VH-Q1 EVM、我们为不同的电源轨…
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  • RE: [参考译文] ADS7138-Q1：AVDD/PVDD 的压摆率或电压纹波要求

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨足立山、 AVDD/DVDD 压摆率没有具体要求。 由于 AVDD 也用作 ADC 的基准电压、因此建议使用线性稳压器而不是开关稳压器。 LDO 或精密电压基准最为理想。 我建议使用与 TPS78001性能相当或更好的器件、TPS78001是 BP-ADS7128中使用的 LDO、以及用于 ADS7128的 EVM。 此致、 Joel

  • RE: [参考译文] LP-MSPM0G3507：唤醒 BQ79656EVM-021 并开始读取电压

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 wink： 有什么建议吗？ 参考 ti_msp_dl_config.h 代码、我们发现了这一点 #define GPIO_UART_0_RX_PIN DL_GPIO_PIN_9 #define GPIO_UART_0_TX_PIN DL_GPIO_PIN_8 因此、我们再次将 LP-MSPM0G3507 与 BQ79656…

  • RE: [参考译文] BQ25751：BQ25751和4 MOSFET 在升压充电模式下易于损坏

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我将电子负载设置为 CC 模式并连接到电路板、使用外部直流电源48V 为电路板加电后、开始时可以看到充电电压为56V、但几秒钟后充电电压消失(实际上此时我仍然没有打开电子负载、电子负载开/关的键关闭、电流为0)、 BQ25751已损坏。 STAT1、STAT2 LED 亮起表示"检测到充电故障"、我测量了 BQ25751的 REGN 引脚、BQ25751内部的 REGN LDO 不再是5V…

  • RE: [参考译文] LMK05318B：：LOS_XO &amp；LOS_reference

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Jennifer、您好！ 感谢您的验证 我使用 EVM 的板载 LDO 并通过5V 电源为其供电。 我会进行测试、以便将3V3直接从我的应用板馈送到 EVM、并绕过 LDO。 您是指外部 TCXO 的电源还是 LMK 的 VDD_XO 电源引脚的电源？ 我将板载 LDO 从3V3更改为干净的1V8电源、结果仍然相同、电压容差是否存在限制？ 其他问题、是否可以更改使 XO…
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  • RE: [参考译文] TAS2505EVM：计算 LDO 功耗

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我明白了。 您有 EVM 吗？ 如果是、可以测量和计算此值。 您可以在 LDO 开启和关闭的情况下测量 SPKVDD 的功耗、得出电流消耗的差异。 在 LDO 关闭的情况下、您可以通过在外部提供 AVDD 和 DVDD 来测量它们的消耗。 然后、您可以计算 LDO 的功耗。 不过、一般而言、如果您有现成的1.8V 电源轨、建议将其用于 AVDD 和 DVDD。 如果您没有现成的器件…
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  • RE: [参考译文] LP8556TM-EVM：EVM 的输入电压范围

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kaji： VLDO 应该是 10uF、我不知道为什么在 EVM 中更改了它、因为它是旧器件。 VLDO 电容器越大、内部 LDO 就越稳定。 也许您可以与我比较 1uF 和 10uF 之间的 VLDO 波形、以进行仔细检查。 谢谢、 Colin
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  • RE: [参考译文] TLV772：建议使用尺寸极小的 LDO

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Takemura-San： TI 为 TLV75533PDRVR 提供多封装 LDO EVM、因为这是一款与其他器件共享相同引脚排列的多源器件。 多封装 LDO EVM 是一种未组装的电路板、因此客户可以订购 TLV75533PDRVR 的一些样片来组装电路板。 此致、 Andres
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  • RE: [参考译文] TPS7H1111-SEP：铁氧体磁珠不会影响 Vout 调节稳定性？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Hirano-San： 大容量钽 COUT 应放置在控制环路内靠近 LDO 输出引脚的位置。 据我所知、 对于铁氧体磁珠与 LDO 输出的接近程度没有严格要求。 重要的是确保在铁氧体磁珠之前连接 OUTS。 通常、铁氧体磁珠放置在更靠近负载的位置、因此这会自然地与 LDO 输出形成一定程度的隔离。 数据表中确实提供了一些额外的 指导和数据 来比较 TPS7H1111在使用和不使用铁氧体磁珠情况下的性能…

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