搜索提示
找到 1,525 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • RE: [参考译文] 电池充电管理

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Ellie 您好！ 您可以参考 BQ25611DEVM 和 BQ25616 EVM 用户指南、获取 EVM 原理图作为参考。 您将需要用于3.3V 和1.8V 电源轨的外部直流/直流或 LDO。 是的、两个器件都需要 MCU 进行控制。 当器件由 VBUS 或 VBAT 供电时、MCU 需要向 BQ25611D 或 BQ25616D 寄存器写入数据。 充电电流可通过 I2C…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS7A88-Q1：具有交流响应的 PSpice 模型

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tijana、 我们的 LDO 模型是功能模型、可帮助用户评估器件的一般性能、我们不会创建 LDO 的完整交流模型。 如果您需要更具体地进行测试、我们建议您使用器件的 EVM 更详细地查看器件的性能。 这样、您就有机会使用您将在应用中使用的实际无源器件、并评估瞬态响应是否满足您的要求。
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS7A8300：采用 RGW (5mm x 5mm)封装的温度稳定性和焊料曲线

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 泄漏和清洁度： 我们通常在水基助焊剂中使用无铅焊锡膏。 对于这组测试、我们的电路板使用 DI 水进行了清洁、然后在数小时内干燥。 清洁干燥后、使用热气返修喷嘴(上面的温度表)加热电路板、或者使用评估板加热电路板、然后使用热垫从下方加热。 再次清洁产生的芯片和电路板、然后粘贴并在我们的红外对流烤箱中重新流动(上面的温度图)。 水基通量用于去除任何焊接桥、安装的芯片再次使用 DI…
    • Answered

  • RE: [参考译文] ADC12DJ5200RF：电源

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 遗憾的是、我们没有将5200RF ADC 与各种 LDO/电源设计进行比较的结果。 即使电流 EVM 上 TPS7A8400A LDO 的输出噪声低于 TPS74401 和 TPS7A7200 LDO 的输出噪声、也是如此。 没关系。 这是一个问题，除非您使用典型的开关设计，否则它会对 SNR 而不是 SFDR 产生很大的影响。 如果您假设 ADC 的 PSRR 为40dB…
    • Answered

  • RE: [参考译文] AM5726：未使用的电源轨配置

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1V8是 EVM 原理图上使用的符号。 如果您参考数据表、您将看到 vdds18v 电源轨-通常由 PMIC 的降压/SMPS 输出供电。 此外，还有两个 VDDA*电源轨。 PLL 轨和 PHY 轨由单独的 LDO 供源。 通常、您应遵循 EVM 上使用的拓扑。 您可以通过移除 VDDA* PHY 电源轨上未使用外设的滤波元件来优化 PCB。 此致、 Kyle
    • Answered

  • RE: [参考译文] BQ25710：REGN 的最小直流额定值

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kazuto-San、 REGN 电容将暴露在 REGN LDO 的电压下、电压为6V。 但是、建议选择具有较高额定电压的电容器以获得安全裕度。 数据表上的2.2uF 和3.3uF 是电容器的额定值。 用户需要根据 应用情况决定他们可以承受的电容器类型和使用的电容器类型。 您的客户可以参阅 EVM。 EVM 在 REGN 上使用0603、35V、2.2uF 电容。 制造商网站上提供了电容器的数据表供参考…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM138：外部电容器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Ryosuke， ESR 需要在大约500kHz 提供适当的零点以保持稳定性。 但是、 ESR 过大可能会影响 LDO 的瞬态性能： https://www.ti.com/lit/an/slyt151/slyt151.pdf 设计一个可以放置3欧姆串联电阻的 PCB 对于调试至关重要。 我通常建议先设置为 mOhm 范围3m 至100m、以实现零点、同时保持足够的瞬态性能…
    • Answered

  • RE: [参考译文] AM4372：引脚 F8连接

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 这是 VDDS3P3V_IOLDO 电源引脚。 这是内部1.8V LDO 的输入、用于在简化的电源时序方案中为引脚 CAP_VDDS1P8V_IOLDO (引脚 D6)上的 VDDS 提供1.8V 电压： 如果未使用内部 LDO、则可以将引脚 F8连接到 GND。 入门套件 EVM 就是这种情况。 2.如果使用内部 LDO、则引脚 F8必须连接至3.3V、引脚 D6必须为 VDDS…

  • [参考译文] LMX2694EPEVM：复制默认配置时遇到困难

    Other Parts Discussed in Thread: LMX2694EPEVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1434975/lmx2694epevm-difficulties-replicating-default-configu…
    • Answered

  • RE: [参考译文] BQ2.5898万：VBUS=5V输入后，对于STAT=LOW，BQ2.5898万需要多少秒？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Koki-san， Vbus = 5V和STAT = LOW之间的时间因几个因素而异。 BQ2.5898万数据表的第17页指出，在加电时，REGN LDO通电之前，初始延迟为220毫秒。 然后，对于较差的源鉴定(典型值30毫秒)和输入源检测(特定于bq2.5898万D)，会出现后续延迟。 根据使用的输入源，输入检测时间会有所不同。 我使用BQ2.5898万 EVM进行了测试…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。