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  • RE: [参考译文] TLV772：建议使用尺寸极小的 LDO

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Takemura-San： TI 为 TLV75533PDRVR 提供多封装 LDO EVM、因为这是一款与其他器件共享相同引脚排列的多源器件。 多封装 LDO EVM 是一种未组装的电路板、因此客户可以订购 TLV75533PDRVR 的一些样片来组装电路板。 此致、 Andres
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  • RE: [参考译文] TAS2505EVM：计算 LDO 功耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我明白了。 您有 EVM 吗？ 如果是、可以测量和计算此值。 您可以在 LDO 开启和关闭的情况下测量 SPKVDD 的功耗、得出电流消耗的差异。 在 LDO 关闭的情况下、您可以通过在外部提供 AVDD 和 DVDD 来测量它们的消耗。 然后、您可以计算 LDO 的功耗。 不过、一般而言、如果您有现成的1.8V 电源轨、建议将其用于 AVDD 和 DVDD。 如果您没有现成的器件…
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  • RE: [参考译文] LP8556TM-EVM：EVM 的输入电压范围

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kaji： VLDO 应该是 10uF、我不知道为什么在 EVM 中更改了它、因为它是旧器件。 VLDO 电容器越大、内部 LDO 就越稳定。 也许您可以与我比较 1uF 和 10uF 之间的 VLDO 波形、以进行仔细检查。 谢谢、 Colin
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  • RE: [参考译文] 有一些关于硬件设计和操作的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 BH： 在#5 上、请继续使用 EVM 上推荐的 LDO (TPS7A94)。 该电源很敏感。 除非应用的相位噪声要求降低。 关于#8、您上面提到的 TCM2 平衡 — 非平衡变压器是可行的，我建议仍然放置 3dB T PAD 衰减器的占位符。 这里有 RF10/12 的 Sparams。 www.ti.com/.../DAC39RF12 此致、 Rob
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  • RE: [参考译文] TPS7H1111-SEP：铁氧体磁珠不会影响 Vout 调节稳定性？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Hirano-San： 大容量钽 COUT 应放置在控制环路内靠近 LDO 输出引脚的位置。 据我所知、 对于铁氧体磁珠与 LDO 输出的接近程度没有严格要求。 重要的是确保在铁氧体磁珠之前连接 OUTS。 通常、铁氧体磁珠放置在更靠近负载的位置、因此这会自然地与 LDO 输出形成一定程度的隔离。 数据表中确实提供了一些额外的 指导和数据 来比较 TPS7H1111在使用和不使用铁氧体磁珠情况下的性能…

  • RE: [参考译文] ISOUSB211：大约每第三次连接一次 PC 就不会检测到 USB 器件。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sanath： 感谢您将硬件设置与 EVM 一致。 diandian zhao 说： 您是否还可以分享器件顶部标记的图片以确保这不是预量产材料？ 请您提供此输入、以便我们进一步了解。 Unknown 说： 始终通过3.3V 从器件上电。 您使用了板载3.3V LDO 电源还是 i.MX 模块的电源？ 如果是稍后、您能否通过板载 LDO 3.3V 电源进行检查并查看问题是否仍然存在…
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  • [参考译文] LM317A-337N-EVM：公式 VOUT += VREF (1 + R3/R1)+(IADJ×R3)

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    Other Parts Discussed in Thread: LM317A-337N-EVM , LM317A , LM317-N 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1571829/lm317a-337n-evm-formula-vout…
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  • [参考译文] TPS25751：关于内部 LDO (LDO_3V3) 输出电流

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS25751 , MSPM0C1104 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1535255/tps25751-about-internal-ldo-ldo_3v3-output…
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  • RE: [参考译文] BQ25672EVM：电流消耗问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas： 感谢您提供 新信息。 我还有几个问题。 1) 尝试移除 JP30 分流器以 禁用 EVM 上拉 LDO。 这是否会将 IQ 降低到数据表中的范围内？ 2) 您能否确认 在电流过度消耗期间禁用 ADC？ 此致、 Austin
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  • RE: [参考译文] SN6501：输出端的电容范围

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shinichi： 考虑到建议使用 4.7uF 的驱动能力、大多数参考设计和 EVM 在输出端具有 4.7uF 的驱动能力。 如果设计中需要较小的纹波、请考虑添加一个 LDO 、以便调节最终输出并具有非常低的输出电压纹波。 谢谢。

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