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  • RE: [参考译文] UCC2.1736万-Q1：UCC2.1736万-Q1对Si MOSFET的适用性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Kartavya， 在404.1522万在EVM中实施EPC2001C器件时，是否采用了以下几种封装方式[TI？ 不是，它们没有包装，只是焊接到主板上。 该板型显示在数据表中，如果您仔细查看EVM产品照片，您会发现它们只是焊接在上面。 您可以检查LMG1205HBEVM的设计文件中的封装/装配体 您不需要为这些部件的装配做任何特殊的事情。 它们易于用热空气或回流炉焊接。…
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  • RE: [参考译文] TPS659037：使用3.3V 输入？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Michael、 我们有许多设计使用3.3V 为 PMIC 的 VDD、SMPSx_IN 和1.8V LDO 输入供电。 但您需要在 LDO 输入端使用5V 电压、以便能够在 LDO 输出端调节3.3V 电压。 如果您实际上只有3.3V、则可以使用负载开关将3.3V 电压定序到 SoC、并通过相应的 LDO 启用每个负载开关。 但是、您必须确保这仍然符合处理器的定序要求…
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  • RE: [参考译文] TPS53355：输入电容器值

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我有一些其他信息。 EVM VDD 范围高达14V。 在14V 电压下、有效电容可能在1uF 至2uF 的范围内。 我不会让它低于1uF。 内部 LDO 会尝试将 VREG 电压调节至5V。 如果您在5V 电压下提供 VDD、则 LDO 输出将为 VDD - Vdropout。 当 VDD 低于 VREG (最大值)+ Vdo = 5.36 + 0.230 = 5.59V 时、您可能会看到输入纹波电压直接施加在…
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  • [参考译文] AWR1243：4 AWR1243级联 EVM VOUT_PA 默认短接至 AR_1V0_RF2

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    Other Parts Discussed in Thread: AWR1243 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/814493/awr1243-4-awr1243-cascade-evm-vout_pa-shorted-by-default-to-ar_1v0_rf2 器件型号： AWR…
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  • RE: [参考译文] BQ35100：需要澄清的一些问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tom、 我相信它们是相似的输入电阻、在测量期间 VIN 可能更高、以免被分压器网络失真。 我不确定 Vin 电阻是否曾为监测计规格、我仍在尝试找到该值、如果这对您的系统设计至关重要、则在 EVM 上进行测试可能更容易。 监测计在 GE 驱动为低电平时完全关断、在 GE 为低电平时 LDO 从 Regin 断开。 此致、 Wyatt Keller

  • RE: 关于SN6501应用问题

    您好！以下是来自产品线的答复，谢谢！ 1) For the desired specs, especially the 300mA load, the SN6501 will be too tight, since it's max current capability @ 5V is only 350mA. Since we need to use a step-up transformer to account for drops across diodes and the LDO, we…
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  • RE: [参考译文] BQ40Z50-R2：在高压输出上、PRES、BTP_INT 和 DISP 上输出高电平

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您可能需要在 EVM 上检查此项。 我相信这些电压会被上拉至电池电压 VBAT。 这些引脚不会驱动电压、根据 DS 规格、似乎未连接到内部 LDO。
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  • RE: [参考译文] TUSS4470：对 TUSS4470PSM (参考设计)提供的功能感到困惑

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jake、 是的、您可以使用 Energia 示例。 以下文档提供了有关该软件的一些详细信息： https://www.ti.com/lit/an/slaa941/slaa941.pdf?ts=1603850670900&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTUSS4470 除了 TUSS4470PSM…
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  • [参考译文] IWR6843：传感器论坛

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    Other Parts Discussed in Thread: IWR6843 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1240096/iwr6843-sensors-forum 器件型号： IWR6843 大家好、 我遇到的行为与 https://e2e.ti.com/support/sensors…
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  • RE: [参考译文] LMK04828：采用 ADS42JB46EVM 的 LMK04828设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 NaN、 铁氧体磁珠的选择与其说是为了阻断特定频率、而是为了覆盖内部 LDO 响应、合理旁路电容值和片上旁路频率响应之间产生的间隙。 LDO 开始在10MHz 以上逐渐减小；旁路电容有助于在10s MHz 范围内实现极小的值；并且有足够的板载去耦电容和键合线电感来限制超过大约1GHz 的噪声量、从而逃逸电源引脚和片外旁路。 但在大约30MHz 至1GHz 的范围内、需要另一种形式的噪声抑制…

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