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  • [参考译文] TPS65223-Q1：TPS6522312RAHRQ1_Rev2_PDN-7D_12Nov24 的 PMIC 输出异常。 BUCK4 和 LDO2 无法输出。

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS65223-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1602073/tps65223-q1-the-pmic-output-of-tps6522312rahrq1_rev2_pdn_7d_12nov24…
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  • RE: [参考译文] AM62L：如何验证 AM62L Linux RDK11_01_16_13 虚拟密钥 HS-SE 启动？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Hong： 感谢您与我分享您的 keywritetelite 文件。 我已经在 EVM 板上进行过测试。 探测 EVM 板 TP95（__LW_AT__U47 LDO 输出）、它是 1.8V、看起来像 AM62L VPP 引脚的电源正确无误。 但我无法使用您提供的 keywrlite.bin 文件将其刻录到 EVM 板。 您能帮助我检查这些错误并分享您的建议吗？…
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  • RE: [参考译文] LP8556TM-EVM：EVM 的输入电压范围

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kaji： VLDO 应该是 10uF、我不知道为什么在 EVM 中更改了它、因为它是旧器件。 VLDO 电容器越大、内部 LDO 就越稳定。 也许您可以与我比较 1uF 和 10uF 之间的 VLDO 波形、以进行仔细检查。 谢谢、 Colin
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  • RE: [参考译文] AWRL6844EVM: AWRL6844 EVM :设计规格与实际测量馈线之间的差异

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好： 我目前正在调试基于 AWRL6844 的定制板。 我注意到与 EVM 相比有显著的增益差异（约 15dB）、我怀疑这源于 VDDA_10RF 线路的电源完整性。 关于 AWRL6844 EVM 原理图、TP22 的设计说明指出：“1V_RF_OUT 的测试点、用于从外部向 1V 电源供电。“ 通过该引脚/测试点从外部提供 1.0V 电源来绕过内部 LDO 以进行测试是否安全…
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  • RE: [参考译文] TPS7H1111-SEP：铁氧体磁珠不会影响 Vout 调节稳定性？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Hirano-San： 大容量钽 COUT 应放置在控制环路内靠近 LDO 输出引脚的位置。 据我所知、 对于铁氧体磁珠与 LDO 输出的接近程度没有严格要求。 重要的是确保在铁氧体磁珠之前连接 OUTS。 通常、铁氧体磁珠放置在更靠近负载的位置、因此这会自然地与 LDO 输出形成一定程度的隔离。 数据表中确实提供了一些额外的 指导和数据 来比较 TPS7H1111在使用和不使用铁氧体磁珠情况下的性能…

  • [参考译文] DP83TD510E-EVM：DP83TD510E — 电源运行

    Other Parts Discussed in Thread: DP83TD510E 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1648618/dp83td510e-evm-dp83td510e---power-supply-operations 器件型号： DP83TD510E-…
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  • RE: [参考译文] PCM5252：当输出有效时具有高本底噪声

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Arash 使用几乎完全相同的电路板布局、我们测试了另一个 DAC、并且该 IC 在相同配置(I2S 有效、但信号电平尽可能低)下具有-115dB 的本底噪声。 我还查看了 EVM 原理图和布局、得出的结论是、它们几乎与我们的原型相同。 唯一引起我注意的是、EVM 使用的是1.8V 的 DVDD 而不是3V3。 1.8V 由 LDO 生成、而 LDO 由另一个 LDO 的3V3供电…
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  • RE: [参考译文] 有一些关于硬件设计和操作的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 BH： 在#5 上、请继续使用 EVM 上推荐的 LDO (TPS7A94)。 该电源很敏感。 除非应用的相位噪声要求降低。 关于#8、您上面提到的 TCM2 平衡 — 非平衡变压器是可行的，我建议仍然放置 3dB T PAD 衰减器的占位符。 这里有 RF10/12 的 Sparams。 www.ti.com/.../DAC39RF12 此致、 Rob

  • RE: [参考译文] ISOUSB211：大约每第三次连接一次 PC 就不会检测到 USB 器件。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sanath： 感谢您将硬件设置与 EVM 一致。 diandian zhao 说： 您是否还可以分享器件顶部标记的图片以确保这不是预量产材料？ 请您提供此输入、以便我们进一步了解。 Unknown 说： 始终通过3.3V 从器件上电。 您使用了板载3.3V LDO 电源还是 i.MX 模块的电源？ 如果是稍后、您能否通过板载 LDO 3.3V 电源进行检查并查看问题是否仍然存在…
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  • RE: IWR6843ISK: RF LDO Bypass

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    但mmstudio user guide里介绍说 这部分设置会损坏EVM？这是什么意思？ RF LDO bypass option should not be enabled on EVMs. If RF LDOs are enabled,EVM may get damaged.

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