• RE: [参考译文] TAS2505EVM：LDO 输出电压错误

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jihe： 如果我理解正确、那么问题出在 EVM 设计上、而不是 TAS2505的内部 LDO、对吗？ 在这种情况下、寄存器设置不应产生任何影响。 我会使用 EVM 运行一些测试、并在明天返回添加更多注释。 此致、 伊万·萨拉扎尔 应用工程师

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM5143：仅在默认的 5V/3.3V 模式下工作。 使用反馈不起作用

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tim。 事情在不断发展。 此设计是您的 EVM、但我们已调换了相关的电容器和 FET、以便能够在 60V IN 和 28V OUT 下运行。 我写的问题证明是一块死板。 随后的副本开始工作。 （这令人沮丧）。 我看到的是另一个问题、似乎与散热有关。 如果我们允许内部 LDO 提供 5V 电压、则器件会快速变热并关断。 为 VCCX 引脚提供外部产生的 5V（从而绕过内部…

  • 4 个月前
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• RE: [参考译文] TPS26750：是否可以将 VBUS_LV 连接到 3.3V LDO 而不是 TPD4S480？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢、EPR_EN 的时序是合理的、这也是我最初怀疑 TPD 或电容增大、或者将其替换为 LDO 或 FET 和齐纳二极管（限制在 20V）的原因。 但是、为什么它对您有用、而对我来说不是对从 5V 切换到 28V 的好处呢？ 您使用我的 EVM。 您使用哪些 ADC/电池无电设置？ 我的下一个问题是如何使用 AVS？ 我可以做固定和 PPS 但我无法让 AVS 工作.

  • 5 个月前
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• RE: [参考译文] AM625：如何使用 GPMC 连接 SRAM。

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1. 我可以在 cat /proc/iomem 中看到 GPMC https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1164995/am5749-am5749-gpmc-setting-for-connect-fpga-is-not-correct-on-am5749-custom…

  • 9 个月前
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• RE: [参考译文] TPS754：TPS7A5401有关温度 LDO 规格的查询

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jonel、 40C 至+125C 温度范围是我们大多数 LDO 中数据表图形和组件特征的标准温度范围。 EP 额定值的 LDO 是例外、它将在更宽的工作条件下具有测试结果和 EC 表数据。 在 TPS7A54验证期间、我们还研究了更宽的温度范围、因此您会在数据表中看到最高温度条件。 您应该能够在-55°C 至+150°C 的温度范围内使用 TPS7A54、但这些更宽的温度值将超出我们在数据表中放置的…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] TMDSCNCD28379D：F2837x_180控制卡 VDDIO

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 对于 VDDIO、建议每个引脚使用0.1uF (去耦电容器)、总共使用10uF 的大容量电容器。 此外、您还需要检查对驱动 MCU 的输出电容器的 LDO 或直流/直流规格的要求。 请参阅 EVM、以在 C2000软件路径中获取参考(C：\ti\c2000\C2000Ware_5_04_00_00\boards\controlCARDs\TMDSCNCD28379D)…

  • 9 个月前
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• RE: [参考译文] DRV8262EVM：DRV8262EVM 上采用 STM 微控制器时无输出

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sebastian： 感谢您的更新。 您能否查看测试点是否提供3V3和 DVDD 电压。 您需要逐个进行调试、看看问题是什么原因造成的。 这可能是 LDO 造成的。 您可以使用此 EVM 的设计文件(位于 DRV8262EVM 评估板|德州仪器 TI.com 中 )来调试电路板。 可以更换器件、但您首先需要对其进行调试并找到问题。 此致、 Mojtaba.

  • 8 个月前
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• RE: [参考译文] TPS25730：原理图审核请求

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您提供更新后的原理图、非常有用。 我已经完成了深入审核、我认为您的实施没有任何问题。 如果您不想使用外部 LDO、可以对 LED 使用 LDO_3V3电源轨、如 EVM 中实现的那样(如下所示)： 此致、 Conner

  • 11 个月前
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• RE: [参考译文] TPS65262：有关 LDO 的问题：并联和欠压

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cameron、 有关两个并联 LDO 的 EVM 基准测试结果、请参阅以下所示的反馈： (1)正如您从上面的 EVM 原理图中看到的、LOUT1和 LOUT2均设置为5V 输出电压。 连接 LVIN1和 LVIN2、连接 LDO1的输出和 LDO2的输出。 (2) 增加负载时、LDO1不 提供任何负载、LDO2将提供整个 负载、直到 达到其 OC 限制(LDO2典型 OC…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] ADS131B04-Q1：电源模式之间的偏移差异

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 干草、 188.7是平均代码吗？ 您从 ADC 收集了多少数据？ 外部公共电容器不应增加偏移误差、EVM 板具有差分和共模电容器、我使用它们收集上表中所示的数据。 我不确定是什么导致了差异、 您是否使用 LDO 为 ADC 提供 AVDD 电源？ 您的板是否是2层电路板？ BR、 Dale

  • 8 个月前
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