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• [参考译文] LM25145：将铁氧体磁珠和电容器连接到 FB 引脚以对抗噪声

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LM25145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1299829/lm25145-connect-a-ferrite-bead-and-a-capacitor-to-the…

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• [参考译文] LM25145：将铁氧体磁珠和电容器连接到 FB 引脚以对抗噪声

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LM25145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1299829/lm25145-connect-a-ferrite-bead-and-a-capacitor-to-the…

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• [参考译文] LM25145：关于引脚连接

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LM25145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1210510/lm25145-about-pin-connections 器件型号： LM25145 您好！ 我想向您介绍一下…

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• LM25145: 为何上下管的型号不一样

  

  user5246875

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  Part Number: LM25145 在使用WEBENCH设计的时候，我的参数是输出电压4.1V20A，输入24V。得到了LM25145的设计方案，如下图，现在不明白的是为何上下管选择不同的型号？我知道这可能与MOS的nC参数和导通电阻Ron有关，为何不直接选择其中最低nC值和最低Ron值的同一种MOS呢？ 而 LM25145的datasheet上的参考电路图则是一样的型号（当然，参考设计的输出电压并不一样）。

  • 3 年多前
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• [参考译文] LM25145：LM25145RGYR：过流限制使用低侧 MOSFET 的 RDS (on)时与输入电压有关

  

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• [参考译文] LM25145：LM25145RGYR：过流限制使用低侧 MOSFET 的 RDS (on)时与输入电压有关

  

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• [参考译文] LM25145：LM25145RGYR：过流限制使用低侧 MOSFET 的 RDS (on)时与输入电压有关

  

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• [参考译文] LM25145：LM25145RGYR：过流限制使用低侧 MOSFET 的 RDS (on)时与输入电压有关

  

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• [参考译文] LM25145：死区时间检测方法

  

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• [参考译文] LM25145：关于 Irdson=200uA 时的 Tj 条件

  

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