搜索提示
找到 16 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • LM27222: 芯片很容易烧毁

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM27222 我的电路如图所示，PWM频率100KHz，240KHz和480KHz都试过，当mos管的电源输入为12V时，系统工作正常，但是一旦电压加到24V，驱动管就急速发热，然后就烧掉了，请问这是什么原因？LM27222我换了三个批次的产品了，现象都差不多，问题会在哪儿呢？

  • [参考译文] LM2.7222万：设备未切换。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1099927/lm27222-device-not-switching 部件号： LM2.7222万 你好， 我正在使用LM2.7222万作为全桥放大器方案中的两个半桥。 目前我正在尝试诊断一个半桥…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM27222：使高侧 FET 永久导通

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Gerald、您好、 使用自举技术来生成高侧偏置意味着高侧 FET 不能持续导通。 必须对低侧 FET 进行足够切换、使自举电容器有一段时间进行充电。 请参阅 本文档 了解详细说明。 无论低侧开关是否首先是次要开关、其原因是没有偏置的高侧输入只会跳过、然后低侧将在下一个周期充电、直到一切都正确偏置。 有一种方法可以使用一些额外的组件实现100%占空比。 第一种方法是将自举电路替换为以…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM27222：LM27222 - Vcc 路径中的电阻器用途？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Stavros、 欢迎使用 e2e、感谢您关注我们的产品！ 您在哪里可以看到1500欧姆？ 它为1.5欧姆、用于限制流入自举二极管的电流。 如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮。 否则、请告诉我们您可能还有哪些问题。 此致、 Don
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM27222：Len 高侧 FET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢 Richard 的确认。 此致、 标记
    • Answered

  • [参考译文] LM27222：LM27212不同的 MOSFET

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM27222 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/961488/lm27222-lm27212-different-mosfets 器件型号： LM27222 我想使用驱…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM27222：驱动 DAB 时出现问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、John、 感谢您关注 LM27222。 从您的描述中、您似乎只有在启动条件下才会遇到 CB 接地故障。 您能否确认同一 LM27222器件位置是否出现故障、或者您是否具有不同的 IC 位置？ 我问这个问题、因为布局对电压尖峰和振铃的可能性有很大影响。 由于故障发生在启动时、如果它是特定位置、请在启动期间检查电压波形、以确认器件处于数据表额定值范围内。 确认 CB…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM27222：最大占空比

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Nilson、 感谢您的联系。 正确的、LM27222使用自举电路为高侧栅极提供偏置、因此会限制占空比、以便引导电容器有足够的时间为高侧栅极完全充电、但也有足够的时间进行补充。 如果您的应用需要高占空比运行、您可能会考虑实施隔离式偏置、以便在 CB-SW 节点上提供恒定偏置、从而保持高于高侧栅极阈值。 下面的链接进一步讨论了这一点： https://e2e.ti…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM27222：仅使用高侧驱动器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kanemaru、 TPS28225的数据表确实提到了 PWM 信号和基准250ns 的上升和下降时间声明。 我在参数表中看到三态关断保持时间 tHLD_R 的典型值为250ns。 我建议输入 PWM 信号的上升和下降时间有余量。 250ns 是数据表表中的典型值、 我建议留出一定的裕度来避免任何三态检测。 我肯定会建议至少有2：1的裕度、因此100ns 的上升和下降应该是可以的…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM27222：驱动2个 N 沟道 FET、在30Hz 频率下切换18A 的负载

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Randy、 UCC27282是我们最新的半桥驱动器、额定温度范围为-40°C 至125°C、包含5V UVLO、可提供更好的驱动电流和开关特性。 下面的器件是一个很好的起点。 UCC27282 TPS2838 TPS28225 立即订购 立即订购 立即订购 在线数据表 在线数据表 在线数…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。