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Showing 240 results View by: Thread Post Sort by
  • RE: LM3150: 带载时有问题

    Johnsin Tao
    Johnsin Tao
    HI Webench仿真出来的电路一般都是没有问题的。 调试中,轻载例如从空载开始,是否都是一直输出异常? 能否有波形能贴上来看看?
    • 2 months ago
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • LM3150: 1引脚VCC与5、6脚GND短接的原因

    user6245482
    user6245482
    TI Thinks Resolved
    Part Number: LM3150 LM3150,2V电源上电时候,本应该输出电压是3.3V,实际输出是0.8V左右,测试发现1引脚VCC与5、6脚GND短接。并不是所有板卡如此,有些板卡会这这样情况。
    • 3 months ago
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: LM3150: LM3150在特定情况下会烧毁:VIN-VCC引脚被击穿

    GingKo Wang
    GingKo Wang
    Resolved
    您好,不要外壳的情况下带或不带负载均正常,且我把外壳连接器(M12航插)从外壳拆下之后,使适配器和电路板经过M12连接也正常,也就是说目前可以判定和外壳相关 我们就是把负载放在氧化外壳里,外壳上会螺纹孔固定多个电路板,测试发现个别电路板的螺纹孔(螺钉)会和外壳连接,即外壳会成为电路的负极,但是如果使用适配器直插到负载上,而不经过外壳上的M12连接器的话,也不会烧坏芯片。。
    • 8 months ago
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM3150:轻负载时 LM3150的输出电压过高

    admin
    admin
    Resolved
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好! 对美国假期延误表示歉意。 查看您的原理图、可以看到以下一些注释: 8A 负载不需要并联 FET (仅使用5 x 6mm FET -请参阅 LM5146 EVM 示例)。 1.65Meg 是电感器上的高电阻、可能会增加噪声拾取。 在这里尝试降低阻抗网络的 R、C。 检查纹波高度是否不像 COT 在纹波谷值上出现的那样过高(这种效应会导致 Vout 在空载时调节得更高…
    • 8 months ago
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM3150:LM3150

    admin
    admin
    Resolved
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好 是的,我认为它更依赖于您的硬件结果,您可以在您的产品类型中输入147K,如果您看到 Vin=12V 时输出调节较差,您可以将频率调整得更低,如果低至115kHz,则不会影响其他无源组件
    • 9 months ago
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • [参考译文] LM3150:EMC 传导发射支持

    admin
    admin
    Resolved
    Other Parts Discussed in Thread: LM3150 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1173321/lm3150-emc-conducted-emission-support 器件型号: LM3150 您好…
    • Resolved
    • 10 months ago
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM3150:CSD18513Q5A

    admin
    admin
    Resolved
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Franziska 如果您在50mA 负载下看到500mA 的输入电流、则过热增加可能是由击穿引起的。 特别是、请检查 dV/dT 导通的可能性、因为在更改 MOSFET 后问题开始出现。 -李家祥
    • 10 months ago
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: LM3150: 控制MOS管的开关信号问题

    Johnsin Tao
    Johnsin Tao
    HI 看起来是保护了,建议你确认一下是各个保护,包括芯片过温。 或者你可以借助芯片官网上的webench在线仿真确认电路, layout datasheet也有详细说明,建议严格参考。
    • over 1 year ago
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: LM3150: 的mosfet选型

    Johnsin Tao
    Johnsin Tao
    Hi 你可以借助LM3150官网的webench获得电路图, 点击电路图中的MOS编辑,可以看到TI推荐的所有MOS, 你可以在这里面选择。
    • over 1 year ago
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM3150:LM3150芯片温度随输出电压升高而升高太多

    admin
    admin
    Resolved
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 肯特、您好! IC 耗散为静态电流(3.5mA)加上栅极驱动电流(每个 FET 为 Qg*Fsw)。 总电流乘以 Vin (24V)是功率耗散。 以下是一些建议: 这里不需要100V FET、这是一个容性相当高的 FET。 试用 CSD18563Q5A、这是一款采用同一封装的出色通用 FET。 Vgs = 6V 时的 QG 仅为10nC (而 CSD19531为23nC…
    • over 1 year ago
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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