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找到 161 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: BQ78350-R1: 设置bq78350的放电电流

    您好，放电电流是负载决定的，可以设置过放电流保护，如果需要设置scale功能请参考下面的文档。 1300.6562.Gauge Design Configurations for High Charge Discharge Rate Applications.pdf

  • RE: TMS320C6678: 请问有这个器件的硬件参考设计吗？

    6646.TMDSEVM6678Lx_EVM_REV_3_0_DSN.pdf 请看附件。

  • RE: bq78350-R2 电流32A显示问题

    您好，所有电流相关的参数都要缩放相同的倍数。您可以参考下面的文档，希望对您有帮帮助。 0333.Gauge Design Configurations for High Charge Discharge Rate Applications.pdf

  • 求助！PTH08T221W设计电容问题！

    Other Parts Discussed in Thread: PTH08T221W , PTH08T220W 我在设计 PTH08T221W模块底板的时候 手册上写的是输入电容最小要300uf的陶瓷电容 The PTH08T221W requires a minimum input capacitance of 300 µ F of ceramic type. 但是并没有这么大的陶瓷电容啊~最大的好像才100uf而且高精度的要680uf的电容。。。真的不知道该怎么办了，是要买好多并联起来吗…
    • pth08t221w.pdf
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  • RE: 关于LMZ31710 的电路连接

    已解决
    您好 在DS中，我看到PIN30 provides electrical on/off control of the device，也就是说它是控制器件工作的引脚啊！！感觉与你说的欠压保护相去甚远……
    • lmz31710.pdf
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  • RE: BQ34Z100-G1中的Res Current有什么用处？

    已解决
    您好，Res current it's the minimum load current that would allow resistance (Ra) to be updated. 关于scale您可以参考下面的文档 1665.Gauge Design Configurations for High Charge Discharge Rate Applications.pdf

  • RE: 关于DDR3电源芯片TPS51116的软启动问题

    您好！ 1. IVDDQOCP是你在设计前应该设定好的参数，就像输入输出电压这些参数一样；（你可以先确定两片DDR3所需要的电流大小，再取一个比它大一些的值代入）。 2. RDS(ON)是MOSFET的导通压降，可以在你选定的MOSFET的数据手册中查找； 3. 如果你选择的是通过RDS(ON)检测电流 ,那么VTRIP=Itrip*Rtrip; 如果你选择的是通过采样电阻检测电流，则VTRIP=60mV; 4. 如果你的电感是1uH,那么L=1uH. 另外TI有篇参考文档（见附件），希望对你有帮助…
    • tps51116 user guide.pdf

  • RE: BQ40Z80放电倍率问题求教

    50280.Gauge Design Configurations for High Charge Discharge Rate Applications.pdf 倍率轻快下所有的电流都要使用倍率，您可以参考上面的文档

  • ADS1298: ADS1298IPAG 線路圖幫忙 協助Review

    Part Number: ADS1298 您好，我目前有參考E2E設計，ADS1298IPAG可是接到STM32還是有些不確定，尤其PDF中黃色標記處，請問是否可以幫忙Review 線路 https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/668420/ads1298-ecg-afe-schematics-for-review Please help us review…

  • 回复: UCC3895应用

    YH, 這部份是提供一個參考電壓給整個環路. 其中一款是TL431. 見附文件. 配合光藕. 這是電源設計上基本的補償電路 (compensation loop design)
    • TL431.pdf

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