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  • BQ40Z50EVM中原理图中关于充放电MOS驱动的疑问

    已解决
    5736.BQ40Z50EVM.pdf 1.高端驱动，CHG和DHG如何实现高压控制充放电MOS管导通截止？实测22.6V 2.充电或者放电过程中是否是利用了MOS管的体二极管 3.帮忙讲解一下实现充放电过程的电路原理

  • ISO1042: ISO1042BDWVR 信号一致性测试-参数解读

    TI 认为已经解决
    Part Number: ISO1042 TI_ISO1042BDWVR.pdf Q1: 下图中的VI 是指VCANH 还是Vdiff(canh-canl)? Q2:右图中VI的电压波形，1.5V~3.5V，跟单独的VCAN电平（VCANH 显性电平2.75V~4.5V，隐性电平2.0V~3.0V）不匹配；和Vdiff（Vdiff 显性电平1.5V~3.0V,隐性电平-120mV~12mV）也不匹配；请问这里的1.5V/3.5V 到底是什么电压？怎么来的？

  • RE: 关于读取TMP006的device ID

    对了，建议重新焊接验证是否读取正确，附件是TMP006 layout指南手册，可参考下solder flux部分的介绍。
    • sbou108.pdf

  • RE: TPS544C20限流和动态负载问题

    Hi 你好， 1. 电感是Coilcraft的XAL1010-102ME, 其20度温升时的额定电流为32A, 其40度温升时的额定电流为43.5A, 饱和电流为55A, 个人觉得电感没有问题， 我TI demon板上的电感也替换成了这个型号，验证OK. 2.用了两颗胆电容， 信号：T520V337M006ATE018， 其ESR为18mohm, 3, 我附上了原理图和电感资料供你参考， 4. 如果方便的话能否电话交流下， 我电话：13723715798 xal1010.pdf

  • LM25141（Q1）/LM5141(Q1)外围MOS选型

    Other Parts Discussed in Thread: LM25141 , LM5141 Hi 想请教一下如附件所示的MOSFET是否可以作为LM25141（Q1）/LM5141（Q1）的外围MOS选型，请帮忙看下 PJD50N10AL-AU.pdf

  • RE: TPS65261-1: 低温环路不稳定，如何快速修改验证

    CL10C三星系列规格书.pdf 输出滤波电容用了两颗三星22uF X5R 6.3V瓷片电容，型号是：CL05A226MQ5QUNC

  • LM25141-Q1: 外置MOS更换型号后上电烧坏

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM25141-Q1 Other Parts Discussed in Thread: LM25141 , 我们产品使用LM25141-Q1的外置MOS为ON的NVMFS5826NL，由于缺料，我们更换了先科的SFTN6009M，上电测试时发现整机工作电流逐步变大，LM25141工作异常，输出电压会跳动，先科的MOS（Q1020）和3.3V后边供电的模块会烧坏，最终LM25141也会烧坏，请问这个外置MOS的选型条件有哪些，外置MOS烧录的可能原因是什么？可能是Ciss过大吗…

  • 用TPS75003给EP3c25F供电

    Other Parts Discussed in Thread: TPS75003 , TPS54318 我在TI官网上找到了用TPS75003产生3.3V 2.5V 1.2V的电路图 （附件），想要用它为cyclone 3 的EP3C25F供电，但我没有搭建电路验证，请问有人用过这个电路吗，有没有要注意的要修改的地方。请指导一下。
    • slvu116b.pdf
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  • RE: 关于LP8863ADCPRQ1芯片VDDIO和VLDO引脚

    已解决
    0763.LP8863-Q1_EVM.pdf Hi, 你好，但是我在LP8863的EVM设计中发现，VDDIO和VLDO是分别供电，和您说的不一样？请解释一下，谢谢！附件为该芯片EVM的手册和截图！
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  • RE: XISO1042DWVR和ISO1042DWVR 区别是什么

    已解决
    XISO1042DWVR.pdf 感谢您德回复，我们工程师给我们采购部的BOM表格里面有XISO1042DWVR这个型号，还发了规格书给我如附件，能否根据规格书告知下区别

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