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• [参考译文] LM5050-1-Q1：基于 LM5050-1-Q1的 ORing 器件 LED 指示灯问题

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1468556/lm5050-1-q1-lm5050-1-q1-based-oring-device-led-indicator…

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  • 8 个月前
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• LM5050-1-Q1: 压降问题咨询

  

  Haoyu Liu

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  Part Number: LM5050-1-Q1 在大电流路径使用这款芯片时VIN和VOUT之间总会存在约24mV的基础压降，这个压降不是由MOSFET的Rds(on)引起的。随电流上升，压降增长很缓慢，增长斜率几乎和MOSFET的Rds相等。通过实测数据拟合可以预见，在电流50A时，损耗功率达到2.4W，发热严重。请问这个压降是如何产生的，怎么避免？ 如图，1-7A数据为实测，损耗为推测。原理图如下 MOSFET型号是HYG012N08NS1TA

  • 3 个月前
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• [参考译文] LM5050-1-Q1：IMDS 数据提交- 97542 - Marelli Motherson Automotive Lighting Ind Pvt Ltd

  

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  • 5 个月前
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• [参考译文] LM5050-1-Q1：IMDS 数据提交97542 / Marelli Motherson 汽车照明工业有限公司

  

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  • 5 个月前
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• [参考译文] LM5050-1-Q1：背对背 MOSFET 用例

  

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  • 11 个月前
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• LM5050-1-Q1: MOS两端压差为什么要小于100mV？

  

  ? ?

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  Part Number: LM5050-1-Q1 为什么最大Vin-Vout要小于100mV，大于100mV会出什么问题吗？

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  • 10 个月前
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• [参考译文] LM5050-1-Q1：800V RPP

  

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  • 11 个月前
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• [参考译文] LM5050-1-Q1：LM5050-1-Q1：原理图审阅

  

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  • 2 年多前
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• [参考译文] LM5050-1-Q1：引脚3关断 MOSFET 导通问题

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] LM5050-1：LM5050-1的设计实现问题

  

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  • 4 个月前
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