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  • [参考译文] LM5050-1：LM5050或 LM74700-Q1能否驱动两个背对背 MOSFET？

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    Other Parts Discussed in Thread: LM74700-Q1 , LM5060 , LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/846555/lm5050-1-can-lm5050-or-lm74700…
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  • [参考译文] LM5050-1：LM5050在电路组合中的应用

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5060 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/843489/lm5050-1-application-of-lm5050-in-circuit-combinatio…
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  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：在电源系统上使用理想二极管

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 JediEngineer、您好！ 感谢您与我们联系。 如果您只需要 ORing (反向电流阻断) 功能、则可以选择 LM5050-1 /2、LM74700-Q1、LM7480x-Q1或 LM7472x-Q1中的任何一个。 LM5050-1 /2 和 LM74700-Q1只能驱动理想二极管 FET、而 LM7480x-Q1 和 LM7472x-Q1可以驱动背 靠背 配置中连接的2个 FET…
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  • [参考译文] LM5050-1-Q1：LM5050-1Q1

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1-Q1 , TIDA-00992 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/854672/lm5050-1-q1-lm5050-1q1 器件型号： LM5050-1…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：一个 LM5050控制多个并行 MOS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 （到我的原理图、这个设计是否正确、例如如果有两个并联的电源、有可能由于 MOSFET 的关断时间延长、MOSFET 的并联接 Ciss 会增加、但充电电流在电流反向流动时不会增加）μ A、 此外： 1) 1) 1)需要电阻器来限制 MOSFET 栅极上的电流 2) 2)如果有四个 MOSFET 并联、MOSFET 栅极上的 PCB 布线是否需要等长？ 3）是全部4个 MOSFET…
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  • [参考译文] LM5050-1：您能帮我找出 LM5050-1的 TINA-TI Spice 电路模型的错误信息吗？#39？

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    Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI , LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/825014/lm5050-1-can-you-help-me-to-figure-out-what…
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  • [参考译文] LM5050-1：建议的输出容量

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/863103/lm5050-1-output-capacity-suggested 器件型号： LM5050-1 大家好…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：电源管理论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Praveen： 在前面关于 LM5050设计的讨论中、我仍然希望进一步了解根本原因： 以下是正常和异常工作条件下的一些电压值： 1、工作正常条件下电压测试结果(Q1正常); 2.工作异常情况下电压测试结果(Q1 DS short) 3、为什么 Q1 DS 变短,有时 Q2/D4损坏,可能有一些浪涌电流如下图所示; 4.基于上面的分析,如果优化我的原始设计如下图显示…
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  • [参考译文] LM5050-1：LM5050 PD 和 Tj

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/757907/lm5050-1-lm5050-pd-and-tj 器件型号： LM5050-1 尊敬的团队： 您是否具有…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1-Q1：电流高达40A 时的 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kari、 非常感谢您的快速回复。 我将使用80V 的 VDS 来更改 MOSFET 我仍然在努力计算功率耗散。 两个 ST MOSFET 的最低 R_DS (on)在25°C 时为 R_DS (on)= 1.5m Ω、在175°C 时为2.8 m Ω。因此、 最坏的导通损耗情况可能高达 P_COND = I^2 * R_DS (on)= 40^2 * 0.0028…

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